硬件基础 - MOS管

可应用于放大,由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器
很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换,常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
可以用作可变电阻 可以方便地用作恒流源
可以用作电子开关
在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作;另外输入阻抗高,可以减轻信号源负载,易于跟前级匹配

  • NMOS

硬件基础 - MOS管_第1张图片

mos管的三个极分别是:G(栅极),D(漏极)s(源极)
要求栅极和源极之间电压大于某一特定值,漏极和源及才能导通

硬件基础 - MOS管_第2张图片

波形会出现毛刺,如果阈值电压为2V,会出现毛刺导通的情况。

阈值2V的优点:
集成电路内部干扰小。
电压低,频率高。
注意点:
GS幅值超过平台电压才能导通
硬件基础 - MOS管_第3张图片
MOS-FET的GS之间需要有电阻几k~几百k不等
MOS-FET的GS超过平台电压后,DS之间无论有没有通路形成,则DS之间的压降接近0V(ID为通路)。
MOS-FET是压控压型的。
低压大电流MOS-FET的ID电流大,则GS电容偏大,开关速度相对高压偏慢。
低压大电流MOS-FET的RDSon比较小。(Rdson就是这指MOS管里面的导通内阻)
高压小电流MOS-FET的ID电流大,则GS电容偏大,开关速度相对低压偏慢。
高压小电流MOS-FET的RDSon比较大。(当MOS开通时,D和S(漏极和源极)之间的电阻)
高压小电流MOS-FET的,栅极电阻一般取值在100R到500R,330R用的比较多。
低压大电流MOS-FET的栅极电阻一般取值在10R~100R之间。
MOS-FET的平台宽度一般在100ns~500ns之间。 低于100nS平台会发生震荡,发热比较严重。高于500nS,平台很宽,开关损耗比较大。
高压小电流MOS-FET,GS的波形在开通的时候容易震荡。
低压大电流MOS-FET,GS波形在关断时容易震荡。

  • 开关管

电容前面应加电阻,若电容未充电前,电流特别大,就相当于短路。
电容两端的电压无法畸变。
硬件基础 - MOS管_第4张图片

三极管用作开关管,C极输出逻辑是反的,E极输出逻辑是正的

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