复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)

一,将bin文件放到flash中0地址处能识别并且启动吗?

xlinx的放在0地址处可以识别启动,我尝试复旦微这个没反应

要用procise生成,第一个必须是FSBL.out。只能是procise生成的BOOT.bin。

复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)_第1张图片

复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)_第2张图片 备注注意: 

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 二,qspips_v1_0中,fmsh_qspips_flash.h文件中驱动文件有个256m的宏?应该对应0x10000000

 答案:前面宏指的是小b,后面的值是大B

三, 用第三方软件下载的程序是放在flash中么,在哪个位置?怎么擦除都无法破坏现有程序

默认是flash 0地址上,看下board文件就知道烧哪了,如果能启动肯定是0地址处。 

首先确保使用最新的procise版本烧写,新版本procise烧写flash很稳定了。用下面的软件烧写。

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其次,把下面这个文件修改到flash 0地址

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四,老版的50和新版的50系列有什么差别?这次的更新补丁说是不需要再单独对其进行引脚映射,那xdc文件就不用变了吗(不用映射成xlinx的引脚的)?以前映射后的引脚不用映射,因为我们会把器件库换成复旦微的。

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 注意mig的ip里面有个xdc,也要转过来,根本上就是xdc有变化。

也可以用反映射命令转回来,现在打开设计开到的io,都是复旦微的封装了。现在内侧一个版本,连exe都不用装,很快会释放出来。

五,flash固化后报:prepare copy partition....

 flash默认时钟是200M,修改时钟为50-100M之间,我改的120M

六,FMK50支持进口的1.8V供电的英飞凌的flash  S25FS512SDSBHV21吗?表格没有

不支持

七,这个串口中断进不去是什么原因?

 解决办法:参考官方例程,其次bank电压也要配置正确,PL串口电压要配置为3.3V,具体参考appn101文档。电压配置不正确的话,串口只能发送不能接收。

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八,复旦微用第三方烧写工具烧写到flash,启动时候fsbl是新的,但app总是跳到之前烧写过的一个程序中?全片擦除flash,只会把fsbl给擦掉,这个旧的用户程序一直存在。从新下载,还是擦除都会从那个旧的用户程序启动。

原因:检查一下打包boot.bin时是否有问题,应该就是打包成boot.bin出现的问题。

九,BOOT.BIN使用flash loader烧写进去:No find valid BOOT_IMG header!

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十,如果板子如果用进口的,硬件不需要改设计,jtag只有一个(45系列的jtag是两个)。

       可以用一个jtag,但调试比较麻烦。

十一,7045的GTX参考时钟输入LVDS电平是可以直接用的。

十二,SPI FLASH支持1线烧写固话程序吗?线接错了具体如何操作

答:可以发单线写命令。

十三,phy如何gpio复位?

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十四,修改200Mqspi的时钟系数,最好直接从vivado中修改,从iar中修改很多时候不生效

复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)_第12张图片

 如果修改下面IAR的位置是不起作用的,要直接从vivado改完导出到IAR 

复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)_第13张图片  附录:QSPI时钟应该配置的数据和寄存器应该配置的值

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复旦微开发过程中遇到的问题总结(二)_第15张图片 

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