DDR3(MT41K512M16HA-125IT)

1.结构(16bit位宽,一共有8个BANK)

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第1张图片

容量计算=2^16*2^3*2^10*16bit=8Gb=1GB

图中64Meg的意思:地址数量是64*10^6这么多,但是一个地址是包含16bit数据=所以可得数据容量

2.-125为速度频率

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第2张图片

3.MIG

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第3张图片

不仅包括RTL,还包括XDC约束文件。

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第4张图片 IP核的名字

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第5张图片

——一个控制器

AXI4 interface ——一般不勾选

clock period——DDR3和FPGA相连的差分时钟的频率(接口频率),一般根据FPGA性能而定。

k7_325T的一般也可以达到800M.

4:1——换算到用户逻辑时钟200M.

memory type——components(就是黑色的一小块DDR3 CHIP,其他选项就是绿色的卡的那种样子的类型)

memory part——自定义的参数

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第6张图片

—— 

 

 ——这里特别提醒一下:

物理Bank(Rank) 是多个芯片组成的内存条上出现的概念,由于处理器的数据位宽一般是32/64bits,而单个芯片的位宽等于其内部单个存储阵列的位宽4/8/16,所以需要多个芯片组合起来才能提供CPU需要的数据。

 板卡上如果有只有一片DDR3,这里就设置16bit就行,如果4片DDR3那么位宽就是16bitX4=64bit。

ECC: ECC 校验使能,数据位宽为 72 位的时候才能使用。

Data Mask: 数据屏蔽管脚使能。勾选它才会产生屏蔽信号。

Number of Bank Machines: Bank Machine 的数量是用来对具体的每个或某几个来单独控制的,选择多了控制效率就会高,相应的占用的资源也多。若DDR3 芯片是八个 bank,这里选择 4 个,则平均一个 Bank Machine 控制两个BANK。

ORDERING: 该信号用来决定 MIG 控制器是否可以对它收到的指令进行重新排序,选择 Normal 则允许,Strict 则禁止。本实验选择 Normal,从而获得更高效率。

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第7张图片

该时钟为上图中DDR3 IP核SYSCLKP/SYSCLKN时钟, 这是输入给MIG 核的时钟,IP核内部会自己调用pll和MMCM 来产生自己的工作时钟。

他的时钟类型由于是内部自己生成的,所以不选择单端或者差分时钟。

本实验选择200MHz,选择这个时钟频率的好处是Reference clock(上图时钟树直接硬性规定200M)可以直接选择使用system clock,也可以

Reference Clock: MIG IP 核参考时钟。同样选择1.“No Buffer”,将由时钟模块生成,(上图时钟树直接硬性规定200M)可以直接选择使用2.system clock,也可以

Read Burst Type and Length: 突发类型选择,突发类型有顺序突发和交叉突发两种,本次选择顺序突发(Sequential),其突发长度固定为 8。

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第8张图片

DDR3(MT41K512M16HA-125IT)_第9张图片

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