ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET

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艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数:

型号:IXTY02N50D-TRL

漏极-源极电压(VDS):500V

连续漏电流(ID):200mA

功耗(PD):25W

工作结温度(TJ):-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA

漏极源导通电阻RDS(ON):20Ω

输入电容(CISS):120pF

二极管正向电压(VSD):0.7V

反向恢复时间(trr):1us

ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET_第1张图片

 

IXTY02N50D-TRL封装尺寸:

封装:TO-252

总长度:10.42mm

本体长度:6.22mm

引脚长度:2.92mm

宽度:6.73mm

高度:2.38mm

脚间距:4.57mm

ASEMI代理艾赛斯IXTY02N50D-TRL车规级MOSFET_第2张图片

 

IXTY02N50D-TRL特征:

常开模式

国际标准包装

低RDS(on)HDMOSTM过程

坚固的多晶硅栅单元结构

快速切换速度

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IXTY02N50D-TRL应用

电平转换

触发器

固态继电器

电流调节器

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