PN结的温度特性

根据模电书中所写：

1、在室温下，温度上升一度，PN结的正向导通电压Uon下降2-2.5mV。

2、温度升高10度，反向饱和电流Is升高一倍。

3、雪崩击穿电压随温度升高而升高，齐纳击穿电压随温度升高而降低。

我的理解如下：

1、PN结的正向导通由多子扩散形成，温度升高多子扩散会加剧，所以扩散电流会增加，在相同正向电流下，正向导通电压会降低。

2、PN结的反向饱和电流由漂移少子形成，温度升高，激发出的漂移少子增多，能够突破势垒的少子增多，反向饱和电流增加。

3、雪崩击穿是掺杂浓度低时发生，外加反向电压使漂移少子在内电场中被加速，进而撞击其中的离子，使其外层电子获得动能，逃离惯性核的束缚。温度升高，内电场中的离子处于激烈运动状态；虽然漂移少子数量增多，增加的数量相对于整个耗尽层原子数来讲，太少了。少子直线加速过程中很容易撞到离子，所以少子加速的行程缩短，导致所需要的雪崩击穿电压增加。

齐纳击穿是掺杂浓度高时发生，由于参杂浓度高，耗尽层的宽度窄，内电场强度大，在增加不大的外加反向电压情况下，离子的最外层电子就被电场“拉”出来。温度升高，最外层电子的运动剧烈，使其逃逸所需外加电压就越小。故齐纳击穿电压具有负的温度系数。