存储介质(2)FLASH

存储介质(2)FLASH

Flash(W25Q64)

类型:

Flash分为NOR Flash和NAND Flash。W25Q64为NOR Flash。

  • NOR Falsh 支持字节写入。
  • NAND Flash必须以块或扇区为单位进行读写。

存储特性:

  1. 在写入数据之前必须先擦除,擦除时把所有位置1。
  2. 写入数据时,只能将所需要修改的数据数据0置0,数据1不变(示例:0x9D->0xFF->0xBD)。
  3. Flash擦除时必须按最小单位擦除(一般为扇区)。

W25Q64

  • SPI,Dual SPI,QUAD SPI。
  • SPI速率最高支持80Mhz。

Block&Seator(块和扇区)

命名规则:W25Q64,64 = 64Mbit = 8MB = 128 * 64 KB。

Flash分为块(Block)和扇区(sector)存储。

Flash(W25Q64:8MB)分为0~127个Block,每个Block大小为64KB。

每个Block分为0~15个Seator。每个扇Seator为4KB。

存储介质(2)FLASH_第1张图片

Instruction set(指令)

状态寄存器

Flash具有状态寄存器(Status Register)通过读取状态寄存器了解Flash状态。

存储介质(2)FLASH_第2张图片

指令集

存储介质(2)FLASH_第3张图片

存储介质(2)FLASH_第4张图片

常用指令集示例

读取ID

(Manufacturer ID / Device ID ,Unique ID & JEDEC ID)

存储介质(2)FLASH_第5张图片

  • Manufacturer ID/Device ID: Instruction(90h)+Address(000000h)+Manufacturer ID(EFh) + (Device ID(ID7~ID0,16h))
  • Unique ID:Instruction(4Bh)+dummy1+dummy2+dummy3+dummy4+(Unique ID(ID63~ID0))
  • JEDEC ID:Instruction(9Fh)+(Manufacturer ID(EFh))+ (Memory Type (ID15-ID8,40h)) + (Capacity (ID7-ID0,17h))

Flash JEDEC ID:0xEF4017,Manufacturer ID:0xEF16h

读取状态寄存器:
  • Read Status Register1:Instruction(05h)+(Status Register1(S7~S0))
  • Read Status Register2:Instruction(35h)+(Status Register1(S15~S0))
擦除扇区
  • Sector Erase:Instruction(05h)+24-Bit Address
页写入
  • Page Program:Instruction(05h)+24-Bit Address+Data Byte 1 …+ Data Byte 256

页写入可以写入1Byte~256Byte,只要保证写入的数据地址已经被擦除。

读取数据
  • Read Data:Instruction(03h)+24-Bit Address+ Data Out 1 + Data Out 2 + …

读取数据允许从内存中依次读取一个或多个数据字节

低功耗处理
  • Power-Down:Instruction(B9h)
  • Release Power down:Instruction(ABh)

本人能力有限,如果你有好的想法,还望不吝赐教!

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