存储介质（2）FLASH

存储介质（2）FLASH

Flash（W25Q64）

类型：

Flash分为NOR Flash和NAND Flash。W25Q64为NOR Flash。

• NOR Falsh 支持字节写入。
• NAND Flash必须以块或扇区为单位进行读写。

存储特性：

1. 在写入数据之前必须先擦除，擦除时把所有位置1。
2. 写入数据时，只能将所需要修改的数据数据0置0，数据1不变（示例：0x9D->0xFF->0xBD)。
3. Flash擦除时必须按最小单位擦除（一般为扇区）。

W25Q64

• SPI，Dual SPI，QUAD SPI。
• SPI速率最高支持80Mhz。

Block&Seator（块和扇区）

命名规则：W25Q64,64 = 64Mbit = 8MB = 128 * 64 KB。

Flash分为块（Block）和扇区（sector）存储。

Flash（W25Q64：8MB）分为0~127个Block，每个Block大小为64KB。

每个Block分为0~15个Seator。每个扇Seator为4KB。

Instruction set（指令）

状态寄存器

Flash具有状态寄存器（Status Register）通过读取状态寄存器了解Flash状态。

指令集

常用指令集示例

读取ID

（Manufacturer ID / Device ID ,Unique ID & JEDEC ID）

• Manufacturer ID/Device ID: Instruction(90h)+Address(000000h)+Manufacturer ID(EFh) + (Device ID(ID7~ID0,16h))
• Unique ID:Instruction(4Bh)+dummy1+dummy2+dummy3+dummy4+(Unique ID(ID63~ID0))
• JEDEC ID:Instruction(9Fh)+（Manufacturer ID(EFh)）+ (Memory Type (ID15-ID8,40h)) + (Capacity (ID7-ID0,17h))

Flash JEDEC ID:0xEF4017，Manufacturer ID：0xEF16h

读取状态寄存器：

• Read Status Register1:Instruction(05h)+(Status Register1(S7~S0))
• Read Status Register2:Instruction(35h)+(Status Register1(S15~S0))

擦除扇区

• Sector Erase:Instruction(05h)+24-Bit Address

页写入

• Page Program:Instruction(05h)+24-Bit Address+Data Byte 1 …+ Data Byte 256

页写入可以写入1Byte~256Byte，只要保证写入的数据地址已经被擦除。

读取数据

• Read Data：Instruction(03h)+24-Bit Address+ Data Out 1 + Data Out 2 + …

读取数据允许从内存中依次读取一个或多个数据字节

低功耗处理

• Power-Down：Instruction(B9h)
• Release Power down：Instruction(ABh)

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本人能力有限，如果你有好的想法，还望不吝赐教！