CMOS与DMOS

CMOS

CMOS（Comp lementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体）是把NMOS和PMOS制造在同一个芯片上组成集成电路，CMOS工艺制程技术是利用互补对称电路来配置连接PMOS和NMOS从而形成逻辑电路，这个电路的静态功耗几乎接近为零，这个理论可以很好地解决功耗问题，这一发现为CMOS工艺制程技术的发展奠定了理论基础。

DMOS

DMOS与CMOS器件结构类似，也是由源、漏和栅组成，但是DMOS器件的漏极击穿电压非常高。DMOS器件主要有两种类型，一种是VDMOS（Vertical Double Diffused MOSFET，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管），另一种是LDMOS（Lateral Double Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管）。

区别

构造：CMOS结构由P型和N型MOSFET组成，P型MOSFET的栅极和漏极都是P型半导体，源极是N型半导体，而N型MOSFET则正好相反。DMOS结构则是一种N型MOSFET，它采用双扩散工艺，使得N型区域的掺杂浓度分布更加均匀，同时漏极和源极之间形成一个P型加强区。

工作原理：CMOS结构通过在P型和N型MOSFET之间交替地组合，实现了电路的低功耗、高速度和高集成度，因为当输入信号为高电平时，只有P型MOSFET导通，而N型MOSFET截止，反之亦然。DMOS结构则是一种单极性结构，只有N型MOSFET，其工作原理类似于普通的MOSFET，但由于P型加强区的存在，DMOS可以承受更高的电压和电流，因此被广泛应用于功率放大器和开关电源等领域。

应用：CMOS结构广泛应用于数字电路、微处理器、存储器等领域，因为它的功耗低、速度快、集成度高。DMOS结构则广泛应用于功率电子学领域，例如功率放大器、开关电源、马达驱动器等，因为它可以承受更高的电压和电流，同时具有较低的导通电阻和开关损耗。