数字逻辑与模拟电子技术-部分知识点(1)——模电部分-半导体二极管,半导体的基础知识、本征半导体、杂质半导体、PN结的形成、PN结的特性、二极管的伏安特性

目录

半导体二极管

半导体的基础知识

本征半导体(经过加工处理) 

杂质半导体

PN结的形成

PN结的特性

二极管的伏安特性


半导体二极管

 

半导体的基础知识

半导体器件的材料主要是硅(Si)、锗(Ge)砷化镓(GaAs)等,硅的使用较为广泛。

 

本征半导体(经过加工处理) 

所谓本征半导体是指完全不含杂质且无晶格缺陷纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征 激发决定的纯净半导体。硅、锗都是四价元素,其原 子核最外层有四个价电子。它们的晶体为共价键结构, 如图所示。

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本征半导体中的两种载流子:

  • 自由电子
  • 空穴

自由电子:由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子。

空穴:自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴。

运载电荷的粒子称为载流子。

外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。

杂质半导体

为了提高半导体的导电能力,可在本征半导体中掺入微量杂质元素,掺杂后的半导体称为杂质半 导体。按掺入杂质的不同有N型半导体P型半导体之分。

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多数载流子(多子)和少数载流子(少子)

对于杂质半导体,N型半导体中的电子P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)

杂质半导体的导电性能主要取决于多子浓度, 多子浓度主要取决于掺杂浓度,其值较大并且稳定 ,因此导电性能得到显著改善。

PN结的形成

为了采用特定的制造工艺,在同一块半导体基片的两边 分别形成N型和P型半导体。由于P型和N型半导体交界面两 侧的两种载流子浓度有很大的差异,因此会产生载流子从高 浓度区向低浓度区的运动,这种运动称为扩散,如图所示。

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由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。

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PN结的特性

PN结的单向导电性

(1)PN结外加正向电压

通常我们将外加在PN结上的电压称为偏置电压。如果PN结的P区电位高于N区电位,称为正向偏置,简称正偏。

当PN结正偏时,外加电场与内电场方向相反,使空间电荷区变窄 ,所以多子的扩散运动增强,形成较大的扩散电流,其方向由P区流向N区,称为正向电流IF。

在一定范围内,外加正向电压UF越大,正向电流IF越大,PN结呈低阻导通状态。在PN结作开关使用时,相当于开关的闭合。

(2)PN结外加反向电压

如果PN结的P区电位低于N区电位,称为反向偏置,简称反偏。

当PN结反偏时,外加电场与内电场方向相同,使空间电荷区变宽,所以多子的扩散运动受到抑制,这时流过PN结的电流,主要是少子形成的漂移电流,其方向由N区流向P区,称为反向电流IR。

当温度一定时,少数载流子的浓度不变,因此IR的大小几乎不随外加电压而变化。所以,又称为反向饱和电流。

在常温下,反向饱和电流很小,一般可以忽略。此时PN结呈高阻截止状态,相当于开关的断 开,如图下所示。

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二极管的伏安特性

(1)正向特性

当外加正向电压小于U_{th}时,外电场不足以克服PN结的内电场对多子扩散运动造成的阻力,正向电流几乎为零,二极管呈现为一个大电阻,好像有一个门坎, 因此将电压U_{th}称为门坎电压(又称死区电压)在室温下硅管U_{th}\approx0.5V,锗管U_{th}\approx0.1V

(2)反向特性

当外加反向电压时,在小于反向击穿电压的范围内, 由少数载流子产生反向饱和电流,反向电流很小, 且与反向电压无关,约等于I_s。在室温下,小功率硅管的反向饱和电流I_s小于0.1μA,锗管为几十微安 。 


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