LCD—STM32液晶显示（2.使用FSMC模拟8080时序）
目录
使用STM32的FSMC模拟8080接口时序
FSMC简介
FSMC NOR/PSRAM中的模式B时序图
用FSMC模拟8080时序
重点：HADDR内部地址与FSMC地址信号线的转换（实现地址对齐）
使用STM32的FSMC模拟8080接口时序
ILI9341的8080通讯接口时序可以由STM32使用普通I/O接口进行模拟，但这样效率太低，STM32提供了一种特别的控制方法——使用FSMC接口实现8080时序。（如果芯片硬件少于100脚，是无法使用FSMC来控制液晶屏，只能使用SPI的方式来控制）
在前面的《FSMC—扩展外部SRAM》章节中了解到STM32的FSMC外设可以用于控制扩展的外部存储器，而MCU对液晶屏的操作实际上就是把显示数据写入到显存中，与控制存储器非常类似，且8080接口的通讯时序完全可以使用FSMC外设产生，因而非常适合使用FSMC控制液晶屏。
FSMC简介
控制LCD时，适合使用FSMC的NOR\PSRAM模式，它与前面使用FSMC控制SRAM的稍有不同，控制SRAM时使用的是模式A，而控制LCD时使用的是与NOR FLASH一样的模式B，所以我们重点分析框图中NOR FLASH控制信号线部分。
在控制LCD时，使用的是类似异步、地址与数据线独立的NOR FLASH控制方式，所以实际上CLK、NWAIT、NADV引脚并没有使用到。
其中NEx、NOE、NWE都是低电平有效。
STM32具有FSMC_NE1/2/3/4号引脚，不同的引脚对应STM32内部不同的地址区域。 例如，当STM32访问0x68000000-0x6BFFFFFF地址空间时，FSMC_NE3引脚会自动设置为低电平，由于它连接到SRAM的CE#引脚，所以SRAM的片选被使能，而访问0x60000000-0x63FFFFFF地址时，FSMC_NE1会输出低电平。当使用不同的FSMC_NE引脚连接外部存储器时，STM32访问外部存储器的地址不一样，从而达到控制多个外部存储设备的目的。
SRAM同样使用异步通讯，SRAM信号线的信号线如下，与控制LCD的引脚线对照来看
这里复习一下FSMC的地址映射
图中左侧的是Cortex-M3内核的存储空间分配，右侧是STM32 FSMC外设的地址映射。可以看到FSMC的NOR/PSRAM/SRAM/NAND FLASH以及PC卡的地址都在External RAM地址空间内。
正是因为存在这样的地址映射，使得访问FSMC控制的存储器时，就跟访问STM32的片上外设寄存器一样(片上外设的地址映射即图中左侧的“Peripheral”区域)。
FSMC把整个External RAM存储区域分成了4个Bank区域，并分配了地址范围及适用的存储器类型，如NOR及SRAM存储器只能使用Bank1的地址。
在NOR及SRAM区域，每个Bank的内部又分成了4个小块，每个小块有相应的控制引脚用于连接片选信号，如FSMC_NE[4:1]信号线可用于选择BANK1内部的4小块地址区域，当STM32访问0x68000000-0x6BFFFFFF地址空间时，会访问到Bank1的第3小块区域，相应的FSMC_NE3信号线会输出控制信号。
因此当我们板子上如果SRAM已经使用了一个片选引脚NEx，那么NOR FLASH的片选引脚就不能是同一个，不然会导致地址冲突。
FSMC NOR/PSRAM中的模式B时序图
FSMC NOR/PSRAM中的模式B的写时序如下图：
根据STM32对寻址空间的地址映射，地址0x6000 0000 ~0x9FFF FFFF是映射到外部存储器的，而其中的0x6000 0000 ~0x6FFF FFFF则是分配给NOR FLASH、PSRAM这类可直接寻址的器件。
FSMC NOR/PSRAM中的模式B的读时序如下图：
NADV不需要看，只有地址线和数据线复用的时候才会用到，这里我们不用。
当FSMC外设被配置成正常工作，并且外部接了NOR FLASH时，若向0x60000000地址写入数据如0xABCD，FSMC会自动在各信号线上产生相应的电平信号，写入数据。FSMC会控制片选信号NE1选择相应的NOR 芯片，然后使用地址线A[25:0]输出0x60000000，在NWE写使能信号线上发出低电平的写使能信号，而要写入的数据信号0xABCD则从数据线D[15:0]输出，然后数据就被保存到NOR FLASH中了。
用FSMC模拟8080时序
由于图片的问题，注意图中右边得到红圈圈起来的那一半等于左边的一整幅图。
对比FSMC NOR/PSRAM中的模式B时序与ILI9341液晶控制器芯片使用的8080时序可发现，这两个时序是十分相似的(除了FSMC的地址线A和8080的D/CX线，可以说是完全一样) 。
如何使用FSMC的地址线来模拟D/CX？
D/CX为低电平时候表示传输的是命令，高电平表示传输数据。而A[25:0]一共有26根线，我们可以选择出来一根线，并且控制这根线让它在某个时刻，我们想发送命令的时候就表达成低电平，当我们想发送数据的时候就控制这根地址线为高电平。
对于FSMC和8080接口，前四种信号线都是完全一样的，仅仅是FSMC的地址信号线A[25:0]与8080的数据/命令选择线D/CX有区别。而对于D/CX线，它为高电平的时候表示数值，为低电平的时候表示命令，如果能使用FSMC的A地址线根据不同的情况产生对应的电平，那么就完全可以使用FSMC来产生8080接口需要的时序了。
为了模拟出8080时序，我们可以把FSMC的A0地址线(也可以使用其它A1/A2等地址线)与ILI9341芯片8080接口的D/CX信号线连接，那么当A0为高电平时(即D/CX为高电平)，数据线D[15:0]的信号会被ILI9341理解为数值，若A0为低电平时(即D/CX为低电平)，传输的信号则会被理解为命令。
由于FSMC会自动产生地址信号，当使用FSMC向0x6xxx xxx1、0x6xxx xxx3、0x6xxx xxx5…这些奇数地址写入数据时，地址最低位的值均为1，所以它会控制地址线A0(D/CX)输出高电平，那么这时通过数据线传输的信号会被理解为数值；若向0x6xxx xxx0 、0x6xxx xxx2、0x6xxx xxx4…这些偶数地址写入数据时，地址最低位的值均为0，所以它会控制地址线A0(D/CX)输出低电平，因此这时通过数据线传输的信号会被理解为命令，如下表：
有了这个基础，只要配置好FSMC外设，然后在代码中利用指针变量，向不同的地址单元写入数据，就能够由FSMC模拟出的8080接口向ILI9341写入控制命令或GRAM的数据了。
注意：在实际控制时，以上地址计算方式还不完整，还需要注意HADDR内部地址与FSMC地址信号线的转换。
重点：HADDR内部地址与FSMC地址信号线的转换（实现地址对齐）
我们前面控制SRAM的时候，我们控制某些地址直接访问就可以了，不需要关心地址转换。这是因为SRAM本身具有掩码（通过LB和UB来控制），所以虽然SRAM的数据宽度是16bit，但是却可以以8位的方式访问，也可以以16位的方式访问。
但是NOR FLASH没有SRAM的这种机制，所以如果NOR FLASH是16bit，那就只能以16bit的方式来访问。比如我们的液晶屏有16根数据线，它就相对于一个16位的NOR FLASH，只能使用16位的方式访问。
而我们要注意在STM32内部实际上有一个地址线HADDR是内部AHB地址线。HADDR是字节地址，而液晶屏的NOR FLASH是16位，是两个字节地址。所以访问的时候会有地址对齐的问题。
比如：对于HADDR，访问第0个地址只想访问第0个字节，访问第一个地址只想访问第1个字节；但对于NOR FLASH，我们访问了一个地址就同时访问了两个字节，如访问第1个地址，同时会访问第2、3字节。
所以我们需要对HADDR进行移位（由STM32内部控制，我们不需要管如何移位），会将HADDR的第1根地址线和NOR FLASH的第0根地址线连接，这样就达到了一个移位的目的，左移1位。
这样的话，假如HADDR想要访问1（二进制）地址，外面就会产生一个10（二进制）地址，就相对于访问第2、3字节了。访问2地址，就会访问第4、5字节，也就是每个地址能访问到的字节数乘2，这样就达到了与NOR FLASH地址对齐的目的。
详细可参考数据手册下图
