博捷芯:半导体划片设备之脆性材料切割方式

单次划片，即一次完全划片硅片，切割深度达到UV膜厚的1/2，如下图所示。 该方法工艺简单，适用于切割超薄材料。 但刀具在切削过程中磨损严重，切削路径边缘易产生崩刃和毛刺。 由于磨削力的影响，材料的表面和亚表面容易产生裂纹等缺陷。

针对硬脆材料划切工艺存在的缺陷，本文提出分层划切工艺方法，如下图所示。 根据被切削材料的厚度，在切削深度方向采用分层（阶梯式）进给方式进行切削。 首先进行开槽切削，采用比较小的进给深度，保证对刀具的受力小，减少刀具。 磨损，减少切割线正面的崩边，然后沿第一条切割线继续切割。

需要保证两种切割方式切割过程中切割膜的厚度。 切膜过深时，会切穿膜，导致工件板失去真空能力，无法固定硅片； 切膜过浅会造成硅片背面塌陷。 因此，严肃地说，切割过程必须保证最后切割的深度。