【FPGA编程：伪双口RAM（二）】——基于Verilog的伪双口RAM实现

【FPGA编程：伪双口RAM（二）】——基于Verilog的伪双口RAM实现

在FPGA编程中，伪双口RAM是一种常见的存储器类型。在之前的文章中，我们已经介绍了伪双口RAM的概念和基本实现原理。今天，我们将进一步讲解如何使用Verilog语言实现伪双口RAM。

首先，我们需要将伪双口RAM定义为一个模块。以下是一个基本的Verilog代码框架：

module psuedo_dual_port_ram (
    input clk,
    input write_en,
    input read_en,
    input [ADDR_WIDTH-1:0] address,
    input [DATA_WIDTH-1:0] write_data,
    output [DATA_WIDTH-1:0] read_data
);

// 伪双口RAM实现

endmodule

其中，ADDR_WIDTH和DATA_WIDTH分别表示地址总线和数据总线的宽度。write_en和read_en信号用于控制写入和读取操作。address信号用于指定要访问的存储单元地址，而write_data和read_data分别用于写入和读取数据。

接下来，我们需要在模块中添加存储器实现。以下是一个简单的实现示例：

reg [DATA_WIDTH-1:0] mem[0:2**ADDR_WIDTH-1];

always @(posedge clk) begin
    if(write_en) begin
        mem[address] <= write_data;
    end
end

always @(posedge clk) begin
    if(read_en) begin