NAND Flash 失效之 Program Disturb | 闪存写入(编程)干扰 | 写个数据还能误伤已有资料?

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专栏 《深入理解Flash:闪存特性与实践》

全文 3900  字, 内容摘要

1. Program Disturb 形成原因

    NAND Program 原理 

    编程施加电压

2. 写干扰的产生

    Program Disturb 

    Pass Disturb

3. Program Disturb 影响范围

4. Program Disturb 规避办法


Program Disturb 形成原因

NAND Program 原理

数据在Flash闪存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的

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