三星电子首席技术官：BSPDN技术开发计划曝光，背部供电技术创新

在ETNews的报道之后，三星电子的代工部门首席技术官Jung Ki-tae Jung透露了该公司在BSPDN技术开发方面的计划。

BSPDN技术是一项创新技术，旨在更好地利用半导体晶圆背面空间的潜力。虽然该技术尚未在全球范围内实施，但三星电子成为首家公开披露其BSPDN开发进程的公司。随着半导体工艺的不断微缩发展，集成电路内电路与电路之间的距离越来越短，容易产生互相干扰的问题。

BSPDN技术的应用可以解决这一限制，因为它可以利用晶圆背面来构建供电线路，从而分隔电路和电源空间。除了三星电子外，台积电和英特尔等公司也在积极寻求类似的技术突破。

台积电计划在2nm以下的工艺中应用类似的技术，并预计在2026年之前实现。而英特尔的背面供电技术名为PowerVia，在2024年上半年将首次在其节点Intel 20A中应用，并计划在未来量产中应用于Arrow Lake平台，以降低功耗、提高效率和性能。虽然这些公司都设定了时间目标，但根据市场需求的变化，这些时间目标可能会有所延后。

三星电子首席技术官表示，采用背面供电技术的半导体的量产时间可能会根据客户的日程安排而有所变化。三星电子的目标是在2025年量产2nm工艺，早于1.4nm工艺。目前，他们正在对背面供电技术的应用进行客户需求调查，以更好地满足市场需求。

总体而言，BSPDN技术的应用将推动半导体工艺的进一步发展，为行业带来更高的效率和性能。三星电子、台积电和英特尔等公司都在不断努力寻求技术突破，以保持在竞争激烈的半导体市场中的领先地位。随着时间的推移，我们可以期待看到更多关于BSPDN技术的进展和应用。