(1)本系列是基于STM32的项目笔记,内容涵盖了STM32各种外设的使用,由浅入深。
(2)小编使用的单片机是STM32F105RCT6,项目笔记基于小编的实际项目,但是博客中的内容适用于各种单片机开发的同学学习和使用。
本章有四个任务:
- 读取W25Q64,制造商ID 和特定芯片的ID,验证SPI驱动
- W25Q64的读操作
- W25Q64的写操作
- 25Q64验证测试,完成25q64的数据存储
- 提醒:基于SPI协议的25Q64读写操作,大家只要掌握把代码嫖过去,使用成功即可,至于SPI读取数据原理,大家只要了解时序图,知道是按时序图写程序就行。
//读取芯片ID W25X64的ID:0XEF16
unsigned short mt_flashReadID(void)
{
unsigned short Temp = 0;
hal_spi2CSDrive(0); //片选拉低
hal_spi2ReadWriteByte(0x90);//发送读取ID命令
hal_spi2ReadWriteByte(0x00);
hal_spi2ReadWriteByte(0x00);
hal_spi2ReadWriteByte(0x00);
Temp|=hal_spi2ReadWriteByte(0xFF)<<8; //读取制造商ID,高八位
Temp|=hal_spi2ReadWriteByte(0xFF); //读取设备ID,低八位
hal_spi2CSDrive(1); //片选拉高
return Temp;
}
void mt_flashInit(void)
{
static unsigned short produid;
hal_spi2Init();
produid = mt_flashReadID();
}
#ifndef _MT_FLASH_H
#define _MT_FLASH_H
#define FLASH_PAGE_SIZE 4096
//指令表
#define W25X_WriteEnable 0x06
#define W25X_ReadStatusReg 0x05
#define W25X_ReadData 0x03
#define W25X_PageProgram 0x02
#define W25X_SectorErase 0x20
#define W25X_ManufactDeviceID 0x90
void mt_flashInit(void);
#endif
#include "stm32f10x.h"
#include "hal_timer.h"
#include "hal_led.h"
#include "hal_gpio.h"
#include "mt_flash.h"
int main(void)
{
hal_LedInit();
hal_GpioConfig_init();
hal_timerInit();
mt_flashInit();
while (1)
{
}
}
到此,验证SPI通讯成功。
读操作只有一个函数:
void mt_flashRead(unsigned char *pBuffer,unsigned int ReadAddr,unsigned int NumByteToRead);
//pBuffer-读取数据存储地址,ReadAddr-Flash地址,NumByteToRead-读取字节数
void mt_flashRead(unsigned char *pBuffer,unsigned int ReadAddr,unsigned int NumByteToRead)
{
unsigned char *pBuff;
unsigned short i,num;
unsigned int RdAddr;
RdAddr = ReadAddr;
num = NumByteToRead;
pBuff = pBuffer;
hal_spi2CSDrive(0); //使能器件
hal_spi2ReadWriteByte(0x03); //发送读取命令 -
// 00 12 34 56H
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((RdAddr)>>16)); //发送24bit地址
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((RdAddr)>>8));
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )RdAddr);
for(i=0;i
写操作有三种方式,即三个函数:页写、块写、任意写,在使用过程中根据需要选择调用即可。
//SPI在一页(0~65535)内写入少于256个字节的数据
//在指定地址开始写入最大256字节的数据
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大256),该数不应该超过该页的剩余字节数!!!
void mt_flashWritePage(unsigned char * pBuffer,unsigned int WriteAddr,unsigned short NumByteToWrite)
{
unsigned char *pBuff;
unsigned short i,num;
unsigned int wAddr;
pBuff = pBuffer;
wAddr = WriteAddr;
num = NumByteToWrite;
mt_flashWriteEnable(); //SET WEL
hal_spi2CSDrive(0); //使能器件
hal_spi2ReadWriteByte(W25X_PageProgram); //发送写页命令
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((wAddr)>>16)); //发送24bit地址
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((wAddr)>>8));
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )wAddr);
for(i=0;i
我们每个扇区有4K的存储空间,从上面可以看出,页操作只能写256个字节。 如何实现块写?
举例,如果起始地址:200(十进制)写长度为500个字节的数据
//FLASH 块写操作
//必须确保所写的地址范围内的数据全部为0XFF,否则在非0XFF处写入的数据将失败!
//具有自动换页功能
//在指定地址开始写入指定长度的数据,但是要确保地址不越界!
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大65535)
//CHECK OK
void mt_flashWrite_Secor(unsigned char * pBuffer,unsigned int WriteAddr,unsigned short NumByteToWrite)
{
unsigned char *pBuff; 数据地址指针
unsigned short num;
unsigned int wAddr; ///写的起始地址
unsigned short pageremain;
pBuff = pBuffer;
num = NumByteToWrite;
wAddr = WriteAddr;
pageremain=256-wAddr%256; //单页剩余的字节数
if(num<=pageremain)
pageremain=num;//不大于256个字节
while(1)
{
mt_flashWritePage(pBuff,wAddr,pageremain);
if(num==pageremain)
break;//写入结束了
else //NumByteToWrite>pageremain
{
pBuff+=pageremain;
wAddr+=pageremain; //200 56 100
num-=pageremain; //减去已经写入了的字节数
if(num>256)
pageremain=256; //一次可以写入256个字节
else
pageremain=num; //不够256个字节了
}
}
}
现在要对起始地址是 4000(十进制)写长度为6000个字节的数据。
增加自动翻页写操作
//写SPI FLASH
//在指定地址开始写入指定长度的数据
//该函数带擦除操作!
//pBuffer:数据存储区
//WriteAddr:开始写入的地址(24bit)
//NumByteToWrite:要写入的字节数(最大256)
void mt_flashWrite(unsigned char * pBuffer,unsigned int WriteAddr,unsigned short NumByteToWrite)
{
unsigned char SPI_FLASH_BUF[4096];
// unsigned char testaa[200];
unsigned char *pBuff;
unsigned int secpos; ///需要写的起始的扇区
unsigned short secoff; ///写入到额起始扇区的 偏移地址
unsigned short secremain; ///第一个写入扇区需要写入的数据的个数
unsigned short i,num;
unsigned int wAddr;
pBuff = pBuffer;
wAddr = WriteAddr;
num = NumByteToWrite;
secpos=wAddr/4096;//扇区地址
secoff=wAddr%4096;//在扇区内的偏移
secremain=4096-secoff;//扇区剩余空间大小
if(num<=secremain) ///num 是需要写入数据的格式 如果需要写入的数据的个数小于本扇区剩余的个数
secremain=num;//不大于4096个字节 在同一个区里面写
while(1)
{
mt_flashRead(SPI_FLASH_BUF,secpos*4096,4096);//读出整个扇区的内容
mt_flashEraseSector(secpos);//擦除这个扇区
for(i=0;i4096)
secremain=4096; //下一个扇区还是写不完
else
secremain=num; //下一个扇区可以写完了
}
}
}
//擦除一个扇区
//Dst_Addr:扇区地址 0~511 for w25x16
//擦除一个扇区的最少时间:45ms,最大300ms
void mt_flashEraseSector(unsigned int Dst_Addr)
{
unsigned int DstAddr;
DstAddr = Dst_Addr;
DstAddr*=4096;
mt_flashWriteEnable(); //SET WEL
mt_flashWaitBusy();
hal_spi2CSDrive(0); //使能器件
hal_spi2ReadWriteByte(W25X_SectorErase); //发送扇区擦除指令
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((DstAddr)>>16)); //发送24bit地址
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )((DstAddr)>>8));
hal_spi2ReadWriteByte((unsigned char )DstAddr);
hal_spi2CSDrive(1); //取消片选
mt_flashWaitBusy(); //等待擦除完成
}
起始地址是:4000 ,写6000个数据,再读取6000;
unsigned char falshtest[6000];
void mt_flash_test(void)
{
unsigned int i;
unsigned int falshdadrx;
falshdadrx = 4000;
for(i=0;i< 6000;i++)
{
falshtest[i] = i;
}
mt_flashWrite(&falshtest[0],falshdadrx,6000);
for(i=0;i< 6000;i++)
{
falshtest[i] = 0;
}
mt_flashRead(&falshtest[0],falshdadrx,6000);
}
unsigned char falshtest[6000];
void mt_flash_test(void)
{
unsigned int i;
unsigned int falshdadrx;
falshdadrx = 4000;
for(i=0;i< 6000;i++)
{
falshtest[i] = i;
}
mt_flashWrite(&falshtest[0],falshdadrx,6000);
for(i=0;i< 6000;i++)
{
falshtest[i] = 0;
}
mt_flashRead(&falshtest[0],falshdadrx,6000);
}
通过仿真的形式,验证Flash 25Q64的读写操作。
先定义一个长度为6000的数组,对数组初始化;用任意写函数,将此数组里的内容写入指定地址,再对数组清零,最后读取指定地址中的内容,若此内容同之前初始化的数组中内容一致,则测试成功。