不想好好取名字
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DDR3布线规则

DDR3布线规则

  • DDR信号的构成
    • 简单分个类
  • 阻抗特性
  • 走线
  • 间距

DDR信号的构成

以三星DDR3内存颗粒为例:

信号名 功能描述
CK,CK# 全局时钟输入，差分信号
CKE 时钟使能信号
CS# 芯片使能信号
ODT 片内电阻端接,控制芯片内部的端接电阻
RAS, CAS, WE [命令信号]行地址信号，列地址信号,写使能有效
DM(DMU), (DML) 数据掩码
BA0 - BA2 Bank地址信号
A0 - A14 地址总线
A10 / AP 自动预充电
A12 / BC# 突发终止(Burst Chop)
RESET# 低电平复位
DQ(DQU,DQL) 数据总线
DQS, (DQS#) 数据控制，差分信号
TDQS, (TDQS#） 终止信号控制
VDDQ DQ电源提供 1.5V或者1.35V
VSSQ DQ地
VDD 电源 1.5V或者1.35V
VSS 地
VREFDQ DQ参考电压
VREFCA CA参考电压
ZQ ZQ校准参考脚

以三星为例
DDR3布线规则_第1张图片
对应的原理图
DDR3布线规则_第2张图片
对应CPU接口
DDR3布线规则_第3张图片

芯片管脚名称 作用
VDDQ,VDD,VSS,VSSQ 电源和隔离电源，地和隔离地。
DQU0-7,DQL0-7 数据总线
DMU[DQM1] DML[DQM0] 分别对应DQU0-7和DQL0-7的数据掩码
差分DQSU，差分DQSL 分别对应DQU0-7和DQL0-7数据选通
A0-A14 地址线
BA0-BA2 Bank地址线
差分CK 时钟线
其他的控制线 /

简单分个类

数据线：DQ
地址线:A0-A14,DM(DMU), (DML) ,DQS, (DQS#) |
控制线:ZQ,CS,RAS, CAS, WE,RESET#,BA0 - BA2,CKE,ODT
时钟线:CK,CK#
电源线和GND

阻抗特性

  1. 单端50欧
  2. 差分100欧
    注意，厂家的标准设计中是向PCB板厂定制的阻抗板，作为个人（除非你有钱）你必须得按照PCB提供的标准参数进行阻抗设计，而不是按照芯片厂家提供的数据进行阻抗计算。

走线

数据线(高八位，低八位分别为一组)尽量走在一层上
信号线直接间距3W或者2W原则，W为信号线宽。
信号线，地址线，控制线，时钟线，也满足3W或者2W原则，或者20mil
VREF电源线宽20mil-30mil

间距

具体请看厂家给出的标准设计中的说明，不同厂家的芯片能接受的误差不一样，有的教程里宣称误差应该小于50mil，实际设计中，同组内500mil的误差是可以接受。
唯一可以确定的是，差分线长度的误差请尽可能的小！！！一般不大于10mil

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