集成电路设计学习笔记(二)基于IC617反相器设计之原理图绘制

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本文主要记录在IC617中原理图的绘制和schematic的使用方法。


新建library


要画设计自己的集成电路,需要建一个自己的库,方便对自己设计文件的管理。

打开library managerfileNEWLibrary

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选择库的保存路径,一般默认即可,并在name中填入自己库的名字。点ok

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弹出Technology File for New Library 窗口,选择第三个Attach to an existing technology library ,点ok

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选择smic18ee工艺库,点ok。在library manager中就可以看见自己的库了。

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现在自己的库是空的,需要自己新建cell


新建cell


library managerfile菜单NEW选择cell View

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Cell里填入自己cell的名字,在Type里选择schematic.点ok,弹出原理图绘制窗口。

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反相器原理图绘制


说一下常用快捷键

快捷键 作用
i 放置器件
p 放置Pin
l 加标签
c 复制
m 移动
w 画电气线
shift+x save&check
q 查看与修改器件属性

点原理图空白处,按快捷键i

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弹出Add Instance 窗口,点Browes

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会弹出library manager窗口,选择smic18ee的库并选择mosfets类,如果没有Category这一栏,在左上角Show Categories前面的方框里打勾。

选择p33e2r,其中p代表PMOS,33代表3.3V电压,18代表1.8电压 ,50 代表5V电压,155代表15V电压 。NMOS的nz代表低阈值电压。我习惯用3.3V。大家可根据自己情况选择MOS。

选中后,双击View栏的symbol

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器件参数设置,在这里,我们需要修改LengthTotal Width,宽长可根据自己需要修改,也可不修改。我常设置Length为1u,可减小沟道长度调制效应,PMOS的宽长比是NMOS的2.5倍左右,因为PMOS是空穴导电,NMOS是电子导电。其他参数,会在后面需要的时候介绍。

修改完成后,把鼠标放到原理图窗口,会有一个随鼠标动的MOS,选择一个位置,点一下,就可以放置了。

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随后放置Nmos,

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可以直接在Cell里,把p改成n就行。也可以按PMOS的选择方式,选择。

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根据自己需要修改宽长比。找位置放置,放置完成后按esc

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下面放置PIN,按快捷键p

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弹出create Pin窗口,Names填入Pin的名字,Direction填入数据方向,Signal Type填入pin类型,这里一般不需要管,它会自己设置好的。放置四个pin。放置完成后,按ESC

name direction
out output
in input
vcc inputoutput
gnd inputoutput

放置完成如下图所示。

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下面开始连线,按快捷键w,开始连线。要注意MOS衬底的连接。连接完成如下图所示。

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按快捷键shift + x检查和保存。无错误,会在CIW中提示,保存完成。

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下面我们来生成symbol,方便以后在其他设计中调取使用。选择create菜单,之后 依次选择cellviewfrom cellview

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不需要修改,点ok即可,

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在上下左右放置pin,可根据自己需要修改放置位置,其他参数不需要修改。点ok。可得到下图的symbol,在library manager中也可看到。

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到这里,反相器的原理图绘制完成了。


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