如何分辨NMOS和PMOS的电路符号

这个是N沟道增强型MOS管的电路符号,

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这个是P沟道增强型MOS管的电路符号,有时我们很容易把这两个符号弄混。

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首先对于单个MOS管而言内部衬底和源极是接在一起的,所以我们看到的MOS管电路符号,源极和衬底是接在一起的,并且这个箭头处的电极为衬底。

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NMOS和PMOS电路符号最大的差异就是衬底这个箭头的方向,对于NMOS管,箭头方向指向栅极,对于PMOS管,箭头方向背向栅极。

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那么这个箭头的方向有什么含义呢?

其实这个箭头的方向就是MOS管内部衬底和沟道反型层间PN结的方向,由P区指向N区。

大家可以看这个N沟道增强型MOS管的示意图,沟道里面导电粒子是电子,所以导电沟道我们可以看成是N型的反型层,然后衬底是P型的,所以衬底和反型层间PN结方向由P指向N,也就是由衬底指向栅极方向,这也就不难理解NMOS管的电路符号的箭头方向是指向栅极的。

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同理,对于P沟道增强型MOS管,衬底为N型,导电沟道为P型的反型层,所以衬底和反型层PN结方向由P指向N,也就是由栅极指向衬底方向,这也就不难理解PMOS管的电路符号箭头方向是背向栅极的。

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然后对于NMOS管的体二极管,源极是体二极管的正极,漏极是体二极管的负极。

对于PMOS管的体二极管,漏极是体二极管的正极,源极是体二极管的负极。

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耗尽型MOS管电路符号是这种,与增强型MOS管电路符号的区别就是源漏之间是一条直线,不像增强型MOS管的为三个小直线。

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这是因为耗尽型NMOS注入了很多正离子,

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耗尽型PMOS注入了很多负离子,即使在没有电压的情况下,导电沟道也是存在的,所以耗尽型MOS管电路符号漏源之间是一条直线。

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