Cadence Sigrity仿真入门2 -- PowerSI DDR S参数仿真分析

PowerSI可以进行S参数提取仿真、电源阻抗提取、走线阻抗耦合检查、平面谐振分析。

下面我们介绍DDR数据线S参数提取仿真，仿真出来的结果有回波损耗S11、插入损耗S12以及串扰S13。

把DDR DQ07的参考层GND故意挖掉，使其阻抗不连续，看看信号质量会发生什么样的变化。

仿真结果预览

最后仿真出来的S11结果

最后仿真出来的S12结果

PowerSI软件在win10 cortana搜索即可，或者在Cadence\Cadence_SPB_17.2-2016\tools\bin找到.powersi.exe

1. 导入BRD文件

2. 设置参数，照着图来就行，写了1万字了，好累，懒得打字了，改的是啥自己体会0.0

3. 点击左侧“check stackup”，设置过孔参数

4. enable要仿真的4根DDR线，还有GND

5. 产生端口，直接点next自动生成端口

6. 点击左侧“setup simulation frequencies”，设置仿真频率，假设是DDR4，我们仿到3次谐波以上，设置8GHz

7. 点击“start simulation”，等待大约10分钟。

前面4个根后面4个没区别，去掉后面4个，右键点击仿真出来的S参数图，选择Y轴以对数显示。

8. 可以看到被切掉一块GND参考层的DQ7的反射非常严重。

9. 查看插损结果，DQ7由于阻抗不连续，DDR收到的能量也明显比其他数据线差的多。

10. 以及串扰结果