采用小型封装、RGCL80TS60GC11、RGWS00TS65DGC13、RGW50TK65GVC11场终止沟槽型IGBT具有高速开关。

一、RGW 650V场终止沟槽型IGBT

RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

1、RGW50TK65GVC11 RGW 650V场终止沟槽型IGBT 30A TO3PFM
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值：67 W
开关能量：390µJ（开），430µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：73 nC
25°C 时 Td（开/关）值：35ns/102ns
测试条件：400V，25A，10欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3

2、RGWS00TS65DGC13 IGBT 沟槽型场截止 650V 88A TO247G
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：88 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
功率 - 最大值：245 W
开关能量：980µJ（开），910µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：108 nC
25°C 时 Td（开/关）值：46ns/145ns
测试条件：400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：88 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

RGCL80TS60GC11、RGWS00TS65DGC13、RGW50TK65GVC11场终止沟槽型IGBT 明佳达

二、RGCL80TS60 IGBT 600V 65A TO247N

RGCL80TS60GC11 600V 场截止沟槽式IGBT是节能、高效的IGBT，具有较低的集电极和发射极饱和电压、耐受时间的短路以及内置的快速软恢复FRD。场截止沟槽式IGBT是UPS、功率调节器、焊机和工业用通用逆变器的理想选择。

IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：65 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，40A
功率 - 最大值：148 W
开关能量：1.11mJ（开），1.68mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：98 nC
25°C 时 Td（开/关）值：53ns/227ns
测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247N

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