STM32Cube学习笔记-内部FLASH读写操作

   今天记录一下使用STM32Cube MX配置单片机，然后对单片机的内部FLASH进行操作的试验。

  硬件：野火STM32F429挑战者开发板；软件：STM32Cube MX、Keil 5

  STM32F4系列的单片机的内部FLASH较大，在写操作时是先擦除扇区，这个和STM32F1系列有所不同；先找到一张图片，是STM32F429IGT6的内部FLASH扇区。

   可以操作的扇区为块1的部分，有0~11总共12个扇区，其中0~3扇区为16Kbits，4扇区为64Kbits，5~11扇区为128Kbits。

   从0x08000000开始是代码开始执行的地址。我们要做的是对第11扇区进行读写操作，写入一个数组，然后在debuge中查找memory该地址上的值；

   FLASH读写基本操作：1、打开FLASH；2、擦除要写入地址所在的扇区；3、把数据写入FLASH对应地址；4、把FLASH关闭。

   由于是内部FALSH的操作，没有涉及到外设，因此可以直接打开原有的工程（见《STM32Cube学习笔记-定时器中断》）。

   在生成的*.h文件中找到有关hal_flash的文件，stm32f4xx_hal_flash.h和stm32f4xx_hal_flash_ex.h。在

stm32f4xx_hal_flash.h中找到了对flash操作的函数，中断函数，操作结束后的回调函数，flash的打开和上锁函数。

在stm32f4xx_hal_flash_ex.h中找到了对扇区擦除的函数。

  我们去main.c中编写一些子函数。

   我写了两个子函数，第一个是擦除扇区的，第二个是写半字，写的也很简单；

   第一个，先把Flash解锁，然后擦除扇区，最后把Flash上锁；

   写一定数据长度的数据，数据为halfword。先解锁，然后循环写。

  然后在main.c中调用这两个函数；

要写的数据是

编译，下载、运行，在memory中查看0x080e0000为起始地址的数据；

可以看到写入的数据是正确的。

上面是对使用STM32CubeMX生成的hal库函数的对FLASH的操作进行了简单的操作，不否认程序的编写是有错误的，特别是在数据长度的处理上。在应用中应该注意。