斜率效率为~ 4.8 W/A的910 nm GaAs基半导体激光器架构及数据库成功开发

 

      半导体激光器最重要的性能参数之一是激光输出功率，如在激光切割、激光焊接等领域，半导体激光器需具备较高的输出功率以满足实际应用的要求。目前，提高半导体激光器的输出功率主要有两种方法：一种是提高半导体激光器单管的输出功率；另一种是采用半导体激光器阵列。

     基于前期的GaAs体系的高精度材料信息库，天津赛米卡尔技术团队开发出了斜率效率为~ 4.8 W/A的910 nm单管GaAs基半导体激光器架构及数据库，在5 A的单管输出功率可达20.4 W，其功率-电流特性曲线信息如下图所示。此器件架构的开发有助于高效地设计900 nm ~ 1000 nm的GaAs基激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的GaAs基激光器有着重要的指导意义。目前技术团队正在进一步优化器件结构，旨在实现斜率效率和输出功率的极限值。