三星：3纳米GAA制程研发进度领先台积电

据外媒报道，三星电子设备解决方案(DS)业务部首席技术官 Jeong Eun-seung 宣布：“作为下一代代工微制造工艺的核心，全环绕栅极(Gate-All-Around，GAA)技术将尽早实现商业化。如果他们攻克这项技术，他们的芯片代工业务将能够进一步发展。”

GAA 被认为是 3 纳米工艺的一个关键部分，在不久的将来将被全球顶级代工企业采用。其关键是将在半导体内部充当“电流开关”的晶体管的结构从 3D(FinFET)改为 4D(GAA)。

业内分析人士表示，谁会首先将 GAA 技术商业化还是未知数，这是因为台积电也在积极地将该技术提前实现商业化。2011 年至 2020 年间，全球 GAA 专利的 31.4% 来自台积电，三星电子的专利占 20.6%。