MTD(memory technology device内存技术设备)是用于访问memory设备(ROM、flash)的Linux的子系统。MTD的主要目的是为了使新的memory设备的驱 动更加简单,为此它在硬件和上层之间提供了一个抽象的接口。MTD的所有源代码在/drivers/mtd子目录下。将CFI接口的MTD设备分为四层 (从设备节点直到底层硬件驱动),这四层从上到下依次是:设备节点、MTD设备层、MTD原始设备层和硬件驱动层。
Flash 硬件驱动层:硬件驱动层负责在init时驱动Flash硬件,Linux MTD设备的NOR Flash芯片驱动遵循CFI接口标准,其驱动程序位于drivers/mtd/chips子目录下。NAND型Flash的驱动程序则位于/drivers/mtd/nand子目录下
二、MTD原始设备:原始设备层有两部分组成,一部分是MTD原始设备的通用代码,另一部分是各个特定的Flash的数据,例如分区。
用于描述MTD原始设备的数据结构是mtd_info,这其中 定义了大量的关于MTD的数据和操作函数。mtd_table(mtdcore.c)则是所有MTD原始设备的列 表,mtd_part(mtd_part.c)是用于表示MTD原始设备分区的结构,其中包含了mtd_info,因为每一个分区都是被看成一个MTD原 始设备加在mtd_table中的,mtd_part.mtd_info中的大部分数据都从该分区的主分区mtd_part- >master中获得。
在drivers/mtd/maps/子目录下存放的是特定的flash的数据,每一个文件都描述了一块板子上的flash。其中调用 add_mtd_device()、del_mtd_device()建立/删除mtd_info结构并将其加入/删除mtd_table(或者调用 add_mtd_partition()、del_mtd_partition()(mtdpart.c)建立/删除mtd_part结构并将 mtd_part.mtd_info加入/删除mtd_table 中)。
三、MTD设备层:基于MTD原始设备,linux系统可以定义出MTD的块设备(主设备号31)和字符设备(设备号90)。MTD字符设备的定义在mtdchar.c中实现,通过注册一系列file operation函数(lseek、open、close、read、write)。MTD块设备则是定义了一个描述MTD块设备的结构 mtdblk_dev,并声明了一个名为mtdblks的指针数组,这数组中的每一个mtdblk_dev和mtd_table中的每一个 mtd_info一一对应。
四、设备节点:通过mknod在/dev子目录下建立MTD字符设备节点(主设备号为90)和MTD块设备节点(主设备号为31),通过访问此设备节点即可访问MTD字符设备和块设备。
五、根文件系统:在Bootloader中将JFFS(或 JFFS2)的文件系统映像jffs.image(或jffs2.img)烧到flash的某一个分区中,在/arch/arm/mach-your /arch.c文件的your_fixup函数中将该分区作为根文件系统挂载。
六、文件系统:内核启动后,通过mount 命令可以将flash中的其余分区作为文件系统挂载到mountpoint上。
建议在读这篇文章前,读一下NandFlash和NorFlash的异同
摘要:较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux平台下的Flash存储技术,并给出基于三星S3C4510系统下Dlash存储器具体设计实例。
关键词:Flash存储技术 uClinux平台 S3C4510
1 Flash类型与技术特点
Flash主要分为NOR flash和NAND flash两类。下面对二者作较为详细的比较。
1.1 性能比较
Flash 闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单;而 NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为 1~5s;擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN 之间的性能差距。统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。因此,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
*NOR的读取速度比NAND稍快一些。
*NAND的写入速度比NOR快很多。
*NAND的擦除速度远比NOR快。
*大多数写入操作需要先进行擦除操作。
*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
1.2 接口差别
NORFlash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。
1.3 容量和成本
NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR Flash占据了大部分容量为1~16MB的内存市场,而NAND Flash只是用在8~128MB的产品当中。
1.4 可靠性和耐用性
采用Flash介质时,一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
(1)寿命(耐用性)
在NAND闪存中,每个块的最大擦写次数是100万次,而NOR的擦写次数是10万次。NAND存储器除了具有10:1的块擦除周期优势外,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位,每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。
(2)位交换
所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障就可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决。
位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
(3)坏块处理
NAND器件中的不坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理。将导致高故障率。
1.5 易用性
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,像其它存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
1.6 软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是闪存技术驱动程序(MTD)。NAND 和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时,所需要的MTD要相对少一些。许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件,其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Sotrware System、 Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿零点和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
目前,NOR Flash的容量从几KB~64MB不等,NAND Flash存储芯片的容量从8MB~128MB,而DiskonChip可以达到1024MB。
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