3.2 主存储器

主存储器的基本组成

在之前一节中给出的是简单存储器的模型是这样的：

其实内部具体结构是这样的：

存储体：包含各种数据和指令 （相当于一栋大楼）
MAR：存储器地址寄存器 （你可以理解为保安室，里面记录了这栋大楼里房间的的门牌号）
MDR：存储器数据寄存器 （理解成住户，每天进进出出，但是数据不一定固定）
控制电路：你就理解为电梯，控制用户上楼还是下楼。图中箭头的方向又控制电路控制

主存与CPU之间的联系

这个非常简单，CPU和主存之间主要三条总线：数据总线、地址总线、控制总线（在图上由读、写一起构成）

数据可以读出，也可以写入，所以在图上数据总线是双向的；
地址总线是单向的，只能从CPU到主存，就好像保安带着目标门牌的钥匙进入大楼。

主存中存储单元的分配

假设我们主存的存储字长是32位。也就是一次可以读出或写入32个0/1代码。现在有一个十六进制的数据12345678H。如何在该存储器存入？
第一种方式：大端 大尾

第二种方式：

1字节（Byte）=8位（bit）
若干个字节构成一个字，上图是4个字节组成1个字

假设有24根地址线，按字节寻址：2的24次方=16MB
若字长是16位，按字寻址 8MW （W代表Word，是16位）
若字长是32位，按字寻址 4MW

说明一下高低位字节的判断：

主存的技术指标

存储容量：主存存放二进制代码的总位数。
存储速度：分为存取时间和存储周期两个标准。

• 存取时间：存储器的访问时间 读出时间或者写入时间
• 存取周期：连续两次独立地存储器操作 读周期或写周期

存储的带宽：位/秒

这里老师提出一个思考题：通常来说，存取周期比存取时间要长，这是为什么？

解答如下：
因为存储器取完数据会刷新恢复数据，存取周期比存取时间多了一个恢复时间，所以存取周期大于存取时间（DRAM的三种刷新方式）

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