第三章 存储器的层次结构
(一)存储器的分类
(1)半导体存储器:
TTL,MOS,SSD。
易失
(2)磁表面存储器:
磁头,载磁体
非易失
(3)磁芯存储器:
硬磁材料,环状元件
非易失
(4)光盘存储器:
激光,慈光
非易失
(1)存取时间与物理地址无关 (随机存取)
类比于数据结构中的线性表数组(取数组某个元素的时间和物理地址无关,只和index有关)
(a)随机存储器:程序执行过程中可读可写
(b)只读存储器:程序执行过程中只读
(2)存取时间与物理地址有关(串行访问)
类比于数据结构中的链表
(a)顺序存取存储器:磁带
(b)直接存取存储器:磁盘(根据物理地址,直接移动磁头)
(1)主存
(a)RAM:操作系统被加载到RAM
SRAM:(Static Random Access Memory)静态随机存储器。常用制作二级缓存。
不必刷新电路就能保存数据。但体积大,集成度低
DRAM:(Dynamic Random Access Memory)动态随机存取存储器。常用语制作系统内存
DRAM用电容存储数据,需要定时充电,刷新电路,否则出处的数据丢失。集成度高
(b)ROM:存储机器自检和引导程序,BIOS等程序
MROM:(Mask Read-Only Memory)掩模式只读存储器。MROM的内容在出厂前一次写入,之后不能更改
PROM:(Programmable Read-Only Memory)-可编程只读存储器。只能写入一次数据的只读存储器,写入错误只能更换存储芯片
EPROM:(Erasable Programmable Read Only Memory)可擦除可编程只读寄存器
EEPROM: (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦可编程只读存储器。SSD
(2)辅存
磁盘,磁带,光盘
(二)存储器的层次化结构
(1)cpu只能和主存,cache进行数据交互,而不能直接获得辅存的数据
(2)辅存的数据只能调入主存,不能直接进入缓存中。
(3)辅存到主存的映射是由OS操作系统管理的。但是主存和辅存之间的一个映射关系被放到TLB中,TLB在cache中。
(4)虚拟存储中的页表,段表,段页表被放到了主存中。cpu通过页表访问辅存时,发现缺页中断,就会先暂停程序的执行,先把数据调到内存
2.主存
(1)主存的基本结构
(2)主存和CPU的联系
3.主存中存储单元地址的分配
(1)寻址的个数有2个因素:
(a)地址线的个数:这是内存中总的可寻址字节数
(b)一个地址所占用的字节数:表明了一个内存单元,占用多少个字节
(2)内存可寻址的总字节数多少字节形成一个内存单元=可寻址数
(3)eg:地址线24根,按字节寻址,可寻址224=16M
个
若字长为16位,按字寻址,可寻址8M个
若字长为32位,按字寻址,可寻址4M个
4.主存的指标
(1)存储容量:存放二进制代码的总位数
(2)存取速度:
存取时间:存储器的访问时间(读出时间,写入时间)
存取周期:连续两次独立的读写存储器操作之间,最小的时间间隔。用于读电路,写电路,地址电路清空一次