MOSFET(五):DrMos

一、简介

        DrMos(Driver + MOSFET)技术是 Intel 于2004年推出的服务器主板节能技术,即把 2 个MOSFET 1 个MOS驱动器 三合一,集成在一个封装中。集成后的 DrMos 面积是分离MOSFET的 \mathbf{\frac{1}{4}},功率密度是其 \mathbf{3} 倍,通过搭配多相控制器使用,可以在相同电压下增大电流,满足低压大功率应用需求。

二、电路及结构

  1. 基于 FDMF6823C 的 DrMos 典型电路如下图所示:

    MOSFET(五):DrMos_第1张图片

  2. DrMos内部结构如下图所示:

    MOSFET(五):DrMos_第2张图片

三、多相电源

        多相Buck电源为多相控制器+ DrMos 系统方案,是一种多路交错并联的同步Buck拓扑,主要用于向SoC、CPU、GPU等芯片提供电源转换解决方案,如下图所示:

MOSFET(五):DrMos_第3张图片

        多相Buck电源拓扑结构如下图所示 :

MOSFET(五):DrMos_第4张图片

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