瞬态抑制二极管TVS的核心参数？|深圳比创达电子EMC（下）

TVS二极管具有响应速度快、漏电流小、钳位电压稳以及无寿命衰减的特性，从小到信号线静电防护，大到电力系统抗雷击浪涌，TVS都发挥着至关重要的作用。本章对瞬态抑制二极管TVS核心参数展开分析，供产品选型参考。接下来就跟着深圳比创达电子EMC小编一起来看下吧！

其中耗散功率，正向峰值电流，正向导通压降，工作温度以及热阻等参数可以在应用中作为计算回路稳态损耗与温升的参考，正向导通特性仅限于单向TVS，在一些场合上可以作为小电流续流泄放路径。

一、击穿电压Vbr/测试漏电流It

击穿电压是TVS二极管反向截止与雪崩击穿工作分界线，测试方式为在TVS两端施加电压，直到对应的测试漏电流It为1mA或者10mA，此时测出的电压为击穿电压。

TVS二极管在生产时存在一致性偏差，通常选定误差范围为±5%，在误差范围以外的产品在产品出厂前会被判定为不良品而筛除；

二、钳位电压Vc/峰值脉冲电流Ipp

最大钳位电压与峰值脉冲电流构成了TVS二极管浪涌保护能力，即前面讲到的峰值脉冲功率Pppm。TVS 一般选用给定 10/1000μs 峰值脉冲电流波形时， TVS 两端测得的峰值电压。

对于相同规格TVS，在相同 峰值脉冲电流下的钳位电压越小，说明 TVS 的钳位保护特性越好；

三、结电容Cj

TVS二极管的结电容与击穿电压成反比，击穿电压越高，结电容越小。相比于单向TVS，双向TVS因自身等效双二极管反向串联的工艺拥有更低的结电容。

众所周知电容具有隔直通交的效果，通过RC构成时间常数，因此对于高频信号就需要通过减小等效电阻以及结电容来减少信号衰减。TVS结电容较大通常用于频率较低的浪涌保护，通过减小芯片尺寸以及串联的方式可以减小TVS结电容，但是也带来了浪涌能力减弱的情况。

综上所述，相信通过本文的描述，各位对瞬态抑制二极管TVS的核心参数（下）都有一定了解了吧，有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这，下次给各位讲解些别的内容，咱们下回见啦！也可以关注我司wx公众平台：深圳比创达EMC！

以上就是深圳市比创达电子科技有限公司小编给您们介绍的瞬态抑制二极管TVS的核心参数（下）的内容，希望大家看后有所帮助！

深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年，总部位于深圳市龙岗区，成立至今一直专注于EMC电磁兼容领域，致力于为客户提供最高效最专业的EMC一站式解决方案，业务范围覆盖EMC元件的研发、生产、销售及EMC设计和整改。