具有四SPI缓冲器读取顺序读取功能W25N04KWZEIU、W25N04KWTBIR、W25N04KWTCIR、W25N04KWTCIU 1.8V 4G位SLC QSPINAND

一、简介

W25N04KW(4G位)SLC QSPINAND闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。W25N QSPINAND系列集成了流行的SPI接口和传统的大型NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双通道/四通道SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用1.70V至1.95V单电源供电,工作电流低至25mA,待机电流为20µA,深度掉电电流为2µA。所有W25N QSPINAND系列器件均采用节省空间的封装,这在过去是不可能用于典型的NAND闪存的。

二、框图

具有四SPI缓冲器读取顺序读取功能W25N04KWZEIU、W25N04KWTBIR、W25N04KWTCIR、W25N04KWTCIU 1.8V 4G位SLC QSPINAND_第1张图片

三、规格

1、(8WSON)W25N04KWZEIU 4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:104 MHz
写周期时间 - 字,页:700µs
访问时间:8 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-WSON(8x6)

2、W25N04KWTBIR 1.8V 4G位SLC QSPIN和闪存,具有双/四SPI缓冲器读取顺序读取功能
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:104 MHz
写周期时间 - 字,页:700µs
访问时间:8 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-TBGA
供应商器件封装:24-TFBGA(8x6)

3、W25N04KWTCIR 4G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V 24TFBGA
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:104 MHz
写周期时间 - 字,页:700µs
访问时间:8 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-TBGA
供应商器件封装:24-TFBGA(8x6)

4、(24TFBGA)W25N04KWTCIU NAND(SLC) 存储器 IC 4Gb SPI - 四 I/O 104MHz
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NAND(SLC)
存储容量:4Gb
存储器组织:512M x 8
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:104 MHz
写周期时间 - 字,页:700µs
访问时间:8 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-TBGA
供应商器件封装:24-TFBGA(8x6)

具有四SPI缓冲器读取顺序读取功能W25N04KWZEIU、W25N04KWTBIR、W25N04KWTCIR、W25N04KWTCIU 1.8V 4G位SLC QSPINAND —— 明佳达

四、封装

具有四SPI缓冲器读取顺序读取功能W25N04KWZEIU、W25N04KWTBIR、W25N04KWTCIR、W25N04KWTCIU 1.8V 4G位SLC QSPINAND_第2张图片

具有四SPI缓冲器读取顺序读取功能W25N04KWZEIU、W25N04KWTBIR、W25N04KWTCIR、W25N04KWTCIU 1.8V 4G位SLC QSPINAND_第3张图片

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