【模拟电子技术】第二章:基本放大电路

目录

2.1放大的概念和放大电路的主要性能指标

2.1.1放大的概念

2.1.2放大电路的性能指标

思考题

2.2基本共射放大电路的工作原理

2.2.1基本共射放大电路的组成及各元件的作用

2.2.2设置静态工作点的必要性

2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析

2.2.4放大电路的组成原则

思考题

2.3放大电路的分析方法

2.3.1直流通路与交流通路

2.3.2图解法

2.3.3等效电路法

计算题注意点:

思考题

2.4放大电路静态工作点的稳定

2.4.1静态工作点稳定的必要性

2.4.2典型静态工作点稳定电路、

2.4.3稳定静态工作点的措施

思考题

2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法

2.5.1基本共集放大电路(射级输出器)

2.5.2基本共基放大电路

2.5.3三种接法的比较

思考题

2.6场效应管放大电路

2.6.1场效应管放大电路的三种接法

2.6.2场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算

2.6.3场效应管放大电路的动态分析

思考题

2.7基本放大电路的派生电路

2.7.1复合管放大电路

2.7.2共射-共基放大电路

2.7.3共集-共基放大电路

思考题

2.8Multisim应用举例

2.8.1

2.8.2

2.8.3

2.8.4

补充:戴维宁定理和诺顿定理


2.1放大的概念和放大电路的主要性能指标

2.1.1放大的概念

(1)放大电路放大的本质是能量的控制和转换。

(2)电子电路放大的基本特征是功率放大。

(3)放大的前提是不失真。

(4)能够控制能量的元件称为有源元件。

2.1.2放大电路的性能指标

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第1张图片

(1)放大倍数:Auu、Aii、Aui、Aiu,重点研究Auu,简称Au

(2)输入电阻: _{Ri}=\frac{Ui}{Ii} ,Ri越大电路从信号源索取电压的能力越大,索取电流的能力越小。

若放大对象为电压,输入电阻越大输入电压越接近信号源电压,输入电阻越大越好;若放大对象为电流,输入电阻越小输入电流就越接近信号源电流,输入电阻越小越好。

(3)输出电阻:若输出信号为电流,则输出电阻越大,输出电流就越稳定,输出电流受负载影响就越小,若输出信号为电压信号,则输出电阻越小,输出电压越稳定,输出电压受负载的影响越小,带负载能力越强。

(4)通频带

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第2张图片

 放大倍数降低至0.707倍的频率(波特图则下降3dB),由于耦合电容大,级间电容小,下限截止频率由耦合电容决定,上限截止频率由级间电容决定。

(5)非线性失真系数

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第3张图片

(6)最大不失真输出电压

一般用有效值Uom表示,也可用峰峰值表示 Uopp=2\sqrt{2}Uom

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第4张图片

(7)最大输出功率与效率

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第5张图片

思考题

2.2基本共射放大电路的工作原理

以NPN为例

2.2.1基本共射放大电路的组成及各元件的作用

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第6张图片

直流源VBB:产生小信号的交流源Ui本身很小,不能使发射结导通,所以单有Ui时,iB=0,需要加直流源VBB先导通发射结,与此同时产生了附着在直流IB上的变化的 ib

直流源VCC:放大电路的能源,并保证集电结反偏

晶体三极管:工作在放大区(发射结正偏,集电结反偏)
控制Vcc所提供的能量
注意管子的类型:NPN(Vc>Vb>Ve)、PNP(Vc

电阻Rb:限流,防止电流过大将器件烧坏

电阻Rc:将电流信号变换为电压信号

加耦合电容:过滤直流分量,获得纯的放大的交流电压信号
隔直通交

2.2.2设置静态工作点的必要性

重要性:Q点不仅影响电路是否失真,而且影响着放大电路几乎所有动态参数。

硅管:U_{BEQ} =0.6~0.8v 

锗管:U_{BEQ} =0.1~0.3v 

解算顺序:U_{BEQ}   \Rightarrow  I_{BQ}  \Rightarrow  I_{CQ}  \Rightarrow  U_{CEQ}

2.2.3基本共射放大电路的工作原理及波形分析

2.2.4放大电路的组成原则

思考题

2.3放大电路的分析方法

2.3.1直流通路与交流通路

在直流电源作用下直流量所流经的通路为直流通路,在输入信号作用下动态量所流经的通路为交流通路。

2.3.2图解法

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第7张图片

 如图,通过Rb和rbe将电压转化为电流,再通过Rc将电流转化为电压。Rb越小,一定输入电压变化量对应电流变化量就大,对输出影响也大,故Rb越小,增益越大。Rc越大,电流变化一定时Rc上的压降就越大,输出变化就大,增益就大。

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第8张图片

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第9张图片

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第10张图片

截止失真是因为Q点选的太低,加上交流后,三极管在一部分电压区发生截至,导致输出顶部失真,改善方法为减小Rb、增大Vbb

饱和失真的情况下,输入是正常的,但是输入电流过大,导致输出电流过大,使得Rc分走了很大的电压,导致在交流和直流叠加后在部分电流较大的区域(Rc分走的Vcc的电压比较大),U_{CEQ}小于了U_{BEQ}+0.7(即集电结没有反偏),从而失真,改善方法为减小Rc、增大Vcc、或从输入部分降低Q点。

非线性失真:

最大不失真电压Uom的求法:

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第11张图片

 直流负载线与交流负载线:

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第12张图片

 对于放大电路与负载直流耦合的情况,直流负载线与交流负载线是同一条直线;而对于阻容耦合放大电路,则只有在空载时两条直线才合二为一。

本质区别就是在交流和直流情况下,电容表现不同效果。

2.3.3等效电路法

h参数等效只能在低频小信号下适用,h参数等效模型是线性模型,为什么要低频呢,因为频率高的话结电容会有影响,为什么小信号呢,因为要保持线性

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第13张图片

 

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第14张图片

 h参数的物理意义:

 h_{11e} 表示小信号作用下 b-e 间的动态电阻,常记作   r_{be}

h_{12e} 是当i_{b}I_{BQ} 时 u_{BE} 对 u_{CE} 的偏导数。该参数存在原因是:u_{BE}u_{CE}的影响(P27页图)由于影响较小,在简化h参数等效图中该项忽略。

h_{21e} 是当 u_{CE}U_{CEQ} 时 i_{C} 对 i_{B} 的偏导数,h_{21e}表示晶体管在Q点附近的电流放大系数 \beta 。

h_{22e} 是当 i_{B}I_{BQ} 时 i_{C} 对 u_{CE} 的偏导数,即并联一个跨导。该参数存在原因是:I_{C}u_{CE}的影响,放大区时由于影响较小,在简化h参数等效图中该项忽略。

r_{be}的近似表达式:(很重要)

课本P79页

计算题注意点:

1、求输出电阻时不包含负载

2、求增益时需计算入负载。

思考题

2.4放大电路静态工作点的稳定

影响Q点的因素:温度(主要),元件老化(可以出厂后先老化,再匹配),电源电压波动。

2.4.1静态工作点稳定的必要性

Q不稳定可能不能正常放大,常引入直流负反馈或温度补偿的方法使 I_{BQ} 在温度变化是产生与 I_{CQ}相反的变化。

2.4.2典型静态工作点稳定电路、

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第15张图片

c图可以稳定Q的原因:(1)Re的直流负反馈;(2)在I_{1} >> I_{BQ} 的情况下,U_{BQ}在温度变化时基本不变。

Re越大,稳定Q点效果越好,但在交流电路中Re会大大降低增益,甚至小于1,故采用阻容式耦合电路,但是,阻容式不易集成,故要采用一个不引入电容,又不减小增益,还可以在发射极引入大的反馈电阻的电路,这个电路就是差分放大电路(下一章节)。

2.4.3稳定静态工作点的措施

温度补偿、引入直流负反馈

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第16张图片

 (a)为温度补偿,二极管反向饱和电流受温度影响大。

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第17张图片

(b)为温度补偿并引入直流负反馈

干掉温度影响的中心思路 :做一些操作使得温度升高时I_{b} 减小;试想,若此操作对I_{b} 产生的效果随温度的变化力度的 β 倍小于温度对I_{c} 的影响力度,则无法完全消除温度的影响;反之,大于时不会使I_{c} 对温度产生相反的影响,而是会平衡,几乎消除了温度对I_{c} 的影响。

思考题

2.5晶体管单管放大电路的三种基本接法

2.5.1基本共集放大电路(射级输出器)

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第18张图片

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第19张图片

 静态工作点:

 I_{BQ}=\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_{b}+(1+\beta )R_{e})}     为什么没有算 r_{be} ? 被U_{BEQ} 减去了!

I_{EQ}=(1+\beta )I_{BQ}

U_{CEQ}=V_{CC}-I_{EQ}R_{e}


 动态分析:

A_{u}=\frac{(1+\beta )R_{e}}{R_{b}+r_{be}+(1+\beta )R_{e}}

R_{i}=R_{b}+r_{be}+(1+\beta )R_{e}

R_{o}=R_{e}//\frac{R_{b}+r_{be}}{1+\beta }    ,    (计算时输入需要短路)

共集计算输出电阻时需要考虑输入回路,计算输入电阻时也需要考虑输出回路和负载,而共射不需要。

2.5.2基本共基放大电路

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第20张图片

 静态工作点:

I_{EQ}=\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_{e}}

I_{BQ}=\frac{I_{EQ}}{1+\beta }

U_{CEQ}=U_{CQ}-U_{EQ}=V_{CC}-I_{CQ}R_{e}+U_{BEQ}

动态分析:

A_{u}=\frac{\beta R_{c}}{r_{be}+(1+\beta )R_{e}}

R_{i}=R_{e}+\frac{r_{be}}{1+\beta }

R_{o}=R_{c}

2.5.3三种接法的比较

(1)放大能力:

共射:既能放大电流,又能放大电压。

共集:只能放大电流,不能放大电压。

共基:不能放大电流,只能放大电压。(输入输出电路分别为发射级和集电极,电流基本相当。)

(2)R_{i}R_{o}

共射:输入电阻居中,输出电阻较大。

共集:输入电阻最大,输出电阻最小。

共基:输入电阻小,电压放大倍数,输出电阻与共射相当。

(3)特点:

共射:常作为低频电压放大电路的单元电路。

共集:具有电压跟随的特点,常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率放大电路中也常采用射级输出。

共基:具有电流跟随的特点,高频特性三者中最好,常作为宽频放大电路。

思考题

NPN和PNP在交流小信号等效电路是一样的。

2.6场效应管放大电路

2.6.1场效应管放大电路的三种接法

2.6.2场效应管放大电路静态工作点的设置方法及其分析估算

2.6.3场效应管放大电路的动态分析

思考题

2.7基本放大电路的派生电路

2.7.1复合管放大电路

(1)NPN----NPN  \Rightarrow   NPN

(2)PNP----PNP  \Rightarrow   PNP

(3)PNP----NPN  \Rightarrow   PNP

(2)NPN----PNP  \Rightarrow   NPN

        \beta ≈ \beta _{1}\beta _{2}

【模拟电子技术】第二章:基本放大电路_第21张图片

2.7.2共射-共基放大电路

2.7.3共集-共基放大电路

思考题

2.8Multisim应用举例

2.8.1

2.8.2

2.8.3

2.8.4

补充:戴维宁定理和诺顿定理

戴:任何一个线性含源一端口网络,对外电路来说,总可以用一个电压源和电阻的串联组合来等效置换;此电压源的电压等于外电路断开时端口处的开路电压 ,而电阻等于一端口的输入电阻。

诺:任何一个含源线性一端口电路,对外电路来说,可以用一个电流源和电阻的并联组合来等效置换;电流源的电流等于该一端口的短路电流,电阻等于该一端口的输入电阻。

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