晶体管和mos管区别，MOS管是什么？

晶体管和mos管区别

什么是MOS管

MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。

什么是晶体管

在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等。晶体管有时指晶体的晶体管。

晶体管分为两大类：双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

晶体管有三个极；双极晶体管有三个极，分别是发射极、基极和集电极。场效应晶体管有三个极：源极、栅极和漏极。

因为晶体管有三个极性，所以也有三种使用方式。它们是发射极接地（也称为发射极放大，ce构型），基基接地（也称基基放大，cb构型）和集电极接地（也称集放大，cc构型，发射器耦合）。

晶体管和mos管区别

晶体管分类

材料

根据晶体管所使用的半导体材料，它们可以分为硅晶体管和锗晶体管。根据晶体管的极性可分为锗NPN晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN晶体管和硅PNP晶体管。

工艺

晶体管可以根据其结构和制造工艺分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管。

电流容量

根据电流容量，晶体管可分为小功率晶体管，中功率晶体管和高功率晶体管。

工作频率

晶体管按其工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管。

封装结构

晶体管可分为金属封装（简称金封口）晶体管、塑料封装（