HEMT

【氮化镓】用于低压射频电源的具有80.4% PAE的Si基E-Mode AlN/GaN HEMT

引言本文是一篇关于增强型（E-mode）AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究论文，晶体管是在硅衬底上制造的，并在3.6GHz频率下展示了80.4%的峰值功率附加效率（PAE）。文章首先介绍了GaN器件在微波和毫米波功率放大器中的应用，特别是在雷达、卫星通信和民用移动通信系统中。这些应用对器件的性能要求极高，包括高功率密度、高效率和低供电电压。文章指出，与耗尽模式（D-mode）相比

北行黄金橘·2025-03-11 08:29

【氮化镓】基于SiC脉冲I-V系统研究Schottky型p-GaN HEMT正栅极ESD机制

这篇文章题为《InvestigatingForwardGateESDMechanismofSchottky-Typep-GaNGateHEMTsUsingaSiC-BasedHigh-SpeedPulsedI-VTestSystem》，发表于《IEEEElectronDeviceLetters》2024年7月刊。研究重点是探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型

北行黄金橘·2025-03-11 08:29

GaN HEMT：未来功率半导体

硅基金属氧化物自1960年代以来，硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）一直是电力电子应用的标准。尽管如此，各种技术的发展（尤其是在汽车和消费电子领域）给寻求以越来越小的外形尺寸提供更高效率和更大功率密度的开发人员带来了新的挑战。从大型数据中心和墙壁插座交流适配器到汽车车载充电站，各种用途的电源都需要高电压，同时尽可能少地占用宝贵的电路板空间。自动驾驶汽车还需要更高效的能量分配，以运行越

David WangYang·2024-09-13 01:01

双场板功率GaN HEMT电容模型以精确模拟开关行为

CapacitanceModelinginDualField-PlatePowerGaNHEMTforAccurateSwitchingBehavior（TED.16年）摘要本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型，用于模拟具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT

幻象空间的十三楼·2024-02-13 06:12

ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导

主要公式用单个数字表示，如（1）。公式中物理量的再详细表达式加点表示，如（1.1），以此类推。Id=WLμeffCg(Vgo−ψm+Vth)ψds（1）I_d=\frac{W}{L}\mu_{eff}C_g(V_{go}-\psi_m+V_{th})\psi_{ds}（1）Id=LWμeffCg(Vgo−ψm+Vth)ψds（1）W和L分别是栅宽和栅长μeff\mu_{eff}μeff是有效载流子

幻象空间的十三楼·2024-02-04 23:08

ASM-HEMT参数提取和模型验证测试

参数提取程序直流I-V参数提取DC模型参数提取流程对于ASM-GaN-HEMT模型可以总结在下图中。

幻象空间的十三楼·2024-02-04 23:06

用ASM HEMT模型提取GaN器件的参数

标题：Physics-BasedMulti-BiasRFLarge-SignalGaNHEMTModelingandParameterExtractionFlow(JEDS17年)模型描述该模型的核心是对表面势（ψ）及其随施加的栅极电压（Vg）和漏极电压（Vd）变化的解析建模。在考虑了真实器件效应（如速度饱和、DIBL、迁移率退化、通道长度调制CLM，参见图1）之后，固有栅极电荷（Qgi）和漏极电

幻象空间的十三楼·2024-01-29 12:01

基于深度学习的ASM-HEMT I-V参数提取

标题：DeepLearning-BasedASM-HEMTI-VParameterExtraction(IEEEELECTRONDEVICELETTERS)22年摘要摘要—首次提出了一种快速而准确的基于深度学习（DL）的ASM-HEMTI-V模型参数提取方法。DL基于提取从蒙特卡洛模拟生成的120k个训练数据集，包含3.74亿个I-V数据点。训练数据集通过蒙特卡洛模拟生成。通过典型的GaN制造过程

幻象空间的十三楼·2024-01-18 12:32

IC-CAP器件建模软件ASM HEMT例子中README翻译

!常规信息!================================================!GaN_ModelingGUI()是位于IC-CAP中的一个中心函数，它打开一个PlotOptimizer和一个与逗号或逗号空格分隔的相关的MultiPlot。!-列表中包含单独的Plot（但没有MultiPlot），!-以及一个参数或变量的列表。!例如：Plots=‘id_vg,gm_v

幻象空间的十三楼·2023-12-31 15:18

ASM-HEMT射频建模

关于ASM-HEMTRF模型ASM-HEMT是指用于氮化镓高迁移率电子晶体管的先进SPICE模型。该模型于2018年由紧凑模型委员会（CMC）进行了标准化。

幻象空间的十三楼·2023-12-31 15:17

ASM GaN: 行业硅基氮化镓射频和功率设备标准模型—第一部分：直流、CV和射频模型

IndustryStandardModelforGaNRFandPowerDevices—Part1:DC,CV,andRFModel(IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES)19年摘要本文介绍了GaN（氮化镓）HEMT

幻象空间的十三楼·2023-12-29 08:48

GaN HEMT的大信号（RF PA）性能

来源：NovelDrain-ConnectedFieldPlateGaNHEMTDesignsforImprovedVBD−RONTradeoffandRFPAPerformance(IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES)使用TCAD提取的I-V和C-V曲线族，结合Keysight的IC-CAP器件建模套件和先进SPICE模型用于高电子迁移率晶体管(ASMHEMT)模

幻象空间的十三楼·2023-12-26 11:22

基于物理的AlGaN/GaN HEMT器件2DEG电荷密度分析模型（文献阅读）

标题：APhysics-BasedAnalyticalModelfor2DEGChargeDensityinAlGaN/GaNHEMTDevices(IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES)重要公式2DEG电荷密度建模的困难源于量子阱中Ef随ns的复杂变化。此关系由给出ns=DVth[ln(l+eEf−E0Vth)+ln(l+eEf−E1Vth)](1)n_s=DV_{

幻象空间的十三楼·2023-12-16 12:45

关于铝镓氮（AlGaN）上p-GaN的高选择性、低损伤蚀刻

引言GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。

Insist_1122·2023-11-28 07:46

基于物理的多偏置射频大信号氮化镓HEMT建模和参数提取流程

Physics-BasedMulti-BiasRFLarge-SignalGaNHEMTModelingandParameterExtractionFlow来源：JOURNALOFTHEELECTRONDEVICESSOCIETY摘要本文展示了一种一致的Al镓氮化物（AlGaN）/氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT

幻象空间的十三楼·2023-11-24 16:40

基于区域划分的GaN HEMT 准物理大信号模型

GaNHEMT器件的大信号等效电路模型分为经验基模型和物理基模型。经验基模型具有较高精度但参数提取困难，特别在GaNHEMT器件工艺不稳定的情况下不易应用。相比之下，物理基模型从器件工作机理出发，参数提取相对方便，且更容易更新和维护。在GaNHEMT器件标准化过程中，选择了基于表面势和基于电荷控制的物理基大信号模型。然而，这些模型仍存在方程复杂、收敛性差、精度不足等问题。基于区域划分的可缩放大

幻象空间的十三楼·2023-11-24 16:06

使用MVS-GaN HEMT紧凑模型促进基于GaN的射频和高电压电路设计

标题：FacilitationofGaN-BasedRF-andHV-CircuitDesignsUsingMVS-GaNHEMTCompactModel来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（19年）摘要—本文阐述了基于物理的紧凑器件模型在研究器件行为细微差异对电路和系统操作与性能的影响方面的实用性。采用行业标准的麻省理工学院虚拟源氮化镓高电子迁移率晶体管（Ga

幻象空间的十三楼·2023-11-12 14:40

射频功率放大器应用中GaN HEMT的表面电势模型

标题：Asurface-potentialbasedmodelforGaNHEMTsinRFpoweramplifierapplications来源：IEEEIEDM2010本文中的任何第一人称都为论文的直译摘要：我们提出了第一个基于表面电位的射频GaNHEMTs紧凑模型，并将我们的工作与数值模拟和器件测量进行了基准测试。预计在需要准确失真建模至关重要的应用中，这种方法在可扩展性和模型性能方面将优

幻象空间的十三楼·2023-11-09 15:54

GaN HEMT 电容的分析建模，包括寄生元件

标题：AnalyticalModelingofCapacitancesforGaNHEMTs,IncludingParasiticComponents来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（14年）摘要：本文提出了一种基于表面势的终端电荷和电容模型，包括用于AlGaN/GaNHEMT的寄生元件。首先，通过求解电荷控制方程，使用闭合形式表达式对沟道中的片状电荷密度进

幻象空间的十三楼·2023-11-09 15:13

AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层

AlGaN/GaNHEMT富Si的双层SiN钝化层总结1SiN钝化层介绍AlGaN/GaNHEMT器件的电流崩塌效应影响其可靠性，因此解决该问题是此类器件近些年的重点。电流崩塌效应主要由缺陷导致，包括表面和势垒层上的缺陷。改善电流崩塌效应目前在工艺上主要通过场版和钝化层，场版可以有效改善虚栅效应，钝化层则有效改善表面缺陷情况。本文提出的Si-richSiN钝化层即是对钝化层的改进。2双层SiN钝化

来个包子谢谢·2023-11-08 00:43

AlGaN/GaN HEMT 中缓冲区相关电流崩溃的缓冲区电位模拟表征

标题：CharacterizationofBuffer-RelatedCurrentCollapsebyBufferPotentialSimulationinAlGaN/GaNHEMTs来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES(18年)摘要-在本文中，通过使用脉冲I-V测量和二维漂移扩散模拟研究了AlGaN/GaNHEMT中的缓冲区相关电流崩溃(CC)。模拟结果表明

幻象空间的十三楼·2023-11-08 00:42

氮化镓功率HEMT的表征与建模

CharacterizationandModelingofaGalliumNitridePowerHEMT(IEEETRANSACTIONSONINDUSTRYAPPLICATIONS)GaNhigh-electron-mobilitytransistor(HEMT

幻象空间的十三楼·2023-11-04 07:16

用于 GaN-HEMT 功率器件仿真的 TCAD 方法论

TCADMethodologyforSimulationofGaN-HEMTPowerDevices来源：Proceedingsofthe26thInternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevices&IC's(14年ISPSD)GaN-HEMT

幻象空间的十三楼·2023-11-04 07:07

AMEYA360:ROHM开始量产具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(GalliumNitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和

皇华ameya·2023-10-19 19:14

AlGaN/GaN结构的氧基数字蚀刻

常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaNHEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。

Insist_1122·2023-10-11 12:22

P-GaN栅极HEMT开关瞬态分析中的动态栅极电容模型

标题：DynamicGateCapacitanceModelforSwitchingTransientAnalysisinP-GaNGateHEMTs摘要在这项工作中，提出了一种用于P-GaN栅极HEMT

幻象空间的十三楼·2023-09-24 02:08

GaN HEMT主要性能指标有哪些？宽禁带材料电性能测试方案

GaNHEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试）。静态参数，也被称作直流参数，是用来评估半导体器件性能的基础测试，也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。静态测试方法，一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流，并测试其对应参数。与Si基器件不同的

whpssins·2023-07-20 03:02

反激式开关电源电路测试记录（二）

由于课题组也在做氮化镓HEMT器件（更多的是在芯片设计和工艺部分，电路部分=没有），后续有做氮化镓开关电源来验证氮化镓HEMT器件的性能的想法，因此想从Si基MOS管反激式开关电源电路入手，逐步实现替代

ice_cream23333·2023-01-04 21:26

反激式开关电源电路的测试记录（一）

由于课题组也在做氮化镓HEMT器件（更多的是在芯片设计和工艺部分，电路部分=没有），于是打算做个类似充电器试试，就想着先从依托于SiMOS管的反激式开关电源电路做起吧！

ice_cream23333·2023-01-04 21:56

射频和无线技术入门--电路和信号--6

射频和无线技术入门--电路和信号--61.半导体材料和器件固态技术硅和砷化镓材料二极管和晶体管二极管晶体管HBT晶体管晶体管的用途HEMT晶体管集成电路(MMIC)2.电路技术集总和分散电路集总元件电路分散电路分立

香蕉一号·2020-07-02 16:07

HEMT02- 击穿特性

击穿特性是啥：MOSFET中的击穿是栅压过大导致氧化层击穿，而在hemt中是在关断状态下，源漏电压逐渐增大，最终电流达到1mA/mm，此时的源漏电压是击穿电压#(c)SilvacoInc.,2015goatlasTitleHEMTbreakdowncharacteristics

Cherylzzx·2020-06-21 18:04

HEMT例子4

energybalancemodels和漂移扩散模型对比。能量依赖模型主要包括了速度过冲和非局部碰撞离化ThisexampledemonstratesId-Vdscalculationsinsinglequantum-wellAlGaAs/GaAsHEMTusingEnergyBalance(EB)andDriftDiffusion(DD)Models.ItincludesConstruction