关于STM32 F429超频的发现

对于STM32 F429这块芯片，虽然官方给出的频率是180MHZ,但通过查看其参考资料，可发现其可被超频到216MHZ，

超频代码如下

void HSE_SetSysClock(void)	
{
uint32_t m, n, p, q;
  __IO uint32_t HSEStartUpStatus = 0;
/*-----------------------------------------------------*/
设置分频和倍频因子
m = 25， n = 432, p = 2, q = 9;
 /*-----------------------------------------------------*/
  // 使能HSE，开启外部晶振，野火F429使用 HSE=25M
  RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
	
  // 等待HSE启动稳定
	HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();

  if (HSEStartUpStatus == SUCCESS)
  {
    // 调压器电压输出级别配置为1，以便在器件为最大频率
		// 工作时使性能和功耗实现平衡
    RCC->APB1ENR |= RCC_APB1ENR_PWREN;
    PWR->CR |= PWR_CR_VOS;
		
		// HCLK = SYSCLK / 1
		RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);
		
		// PCLK2 = HCLK / 2
		RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div2);
		
		// PCLK1 = HCLK / 4
		RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div4);
		
		// 设置PLL来源时钟，设置VCO分频因子m，设置VCO倍频因子n，
		//  设置系统时钟分频因子p，设置OTG FS,SDIO,RNG分频因子q
		RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE, m, n, p, q);
		
		// 使能PLL
		RCC_PLLCmd(ENABLE);
  
	  // 等待 PLL稳定
    while (RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET)
    {
    }   

/*-----------------------------------------------------*/
    //开启 OVER-RIDE模式，以能达到更高频率
    PWR->CR |= PWR_CR_ODEN;
    while((PWR->CSR & PWR_CSR_ODRDY) == 0)
    {
    }
    PWR->CR |= PWR_CR_ODSWEN;
    while((PWR->CSR & PWR_CSR_ODSWRDY) == 0)
    {
    }      
    // 配置FLASH预取指,指令缓存,数据缓存和等待状态
    FLASH->ACR = FLASH_ACR_PRFTEN 
		            | FLASH_ACR_ICEN 
		            | FLASH_ACR_DCEN 
		            | FLASH_ACR_LATENCY_5WS;
/*-----------------------------------------------------*/
		
		// 当PLL稳定之后，把PLL时钟切换为系统时钟SYSCLK
    RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);

    // 读取时钟切换状态位，确保PLLCLK被选为系统时钟
    while (RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08)
    {
    }
  }
  else
  { // HSE启动出错处理

    while (1)
    {
    }
  }
}

在我超频的过程中，我发现通过修改VOC输入时钟分频因子（即m），可更进一步的提高频率，但VOC输入时钟分频因子不能低于19，否则容易导致其进入一个类似于休眠的状态

此时无法用sw方式刷写程序，只能通过JTAG并且在长按复位键松开后立即刷入才能刷入新程序。