《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集八

一:《单晶硅片超精密磨削设备》

二:表面清洁技术

三:《反应等离子刻蚀设备》

四:氮化化学气相沉积工艺

五:《晶圆撕金去胶清洗装置》

六:《氮化镓蚀刻工艺》

七:MOSFET的制造工艺

八:《各向异性湿蚀刻演变历程》

九:硅基GaN薄膜的外延生长

十:扩散和离子注入

十一:红外滤光片的作用

十二:先进封装技术的集成工艺

十三:LED湿法清洗设备CDS设计

十四:块状硅蚀刻工艺

十五:石英谐振器的原理

十六:薄膜硅太阳能电池制造工艺

十七:《超纯化学试剂产品介绍》

十八:宽禁带半导体缺陷

十九:Marangoni干燥机

二十:《金属镍在晶片上的沉积工艺》

二十一:《旋转式晶圆自动干燥装置》

二十二:《超薄化合物衬底加工》

二十三:蓝宝石晶棒制造工艺

二十四:硅器件制造技术工艺

二十五:《离子溅射仪技术要求》

二十六:掩模清洁策略

二十七:单晶生产工艺

二十八:微结构光刻胶涂覆工艺

二十九:拉晶过程的稳定性和伺服控制

三十:宽带隙和超宽带隙半导体蚀刻

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