SI2325DS-T1-GE3详情参数

SI2325DS-T1-GE3规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 530mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3