【datasheet-TX7516】高性能发射器TX7516

一、TX7516介绍

总述

TX7516是一款适用于超声成像系统的高度集成、高性能发送器解决方案。它具有16个脉冲发生器电路和16个发送/接收开关(T/R或TR开关),并支持片上和片外波束形成器(TxBF)。每个脉冲发生器电路可以生成五级高压脉冲(高达±100V),这些脉冲用于激发超声波传感器的多个通道。该器件共支持16个输出,输出电流最大值为2A。 它支持不同通道的交错式脉冲,从而实现传输波束形成。在片上波束形成器模式下,不同通道脉冲的延迟分布会存储在器件内。 每个通道都有自己的RAM,长度为960字节,用于存储图形分布和延迟分布。所有通道的操作可以使用TR_BF_SYNCP/TR_BF_SYNCM引脚上的信号同步。(波束和成的每个传输窗口由TR_BF_SYNC脉冲定义,并且可以通过单个寄存器控制加载用于传输窗口的所需配置文件。) 这些图形分布和延迟分布是使用高速(400MHz)串行外设接口写入的。 另外,TX7516集成了浮动电源和内部偏置电压所需的所有去耦电容器,显著减少了所需外部电容器数量。它采用144引脚10mm × 10mm FC-BGA封装(ALH封装),额定工作温度范围为0°C至70°C。

二、TX7516应用

1. TX7516需要的时许要求

BF_CLK时钟和TR_BF_SYNC输入信号被设备用来执行片上波束成形操作,BF_CLK时钟和TR_BF_SYNC只支持差模输入(正弦波、LVPECL或LVDS)。

(1) 串行接口时许要求

SPI写入操作可以通过以下两种可能的方式进行:
1.单通道模式:只使用单列行数据线对设备进行编程。使用SDATA_0引脚发送串行数据,并将SDATA_1连接到逻辑级’0’。
2.双通道模式:串行数据通道SDATA_0和SDATA_1都用于对设备进行编程。在设备内部,来自2个SPI通道的数据将依次写入寄存器空间。也就是说,如果已经使用SDATA_0对地址128进行编程,SDATA_1对256进行编程,那么寄存器空间中的地址128首先更新,然后是地址256。如果SDATA_0和SDATA_1都用于对同一地址位置进行编程,那么来自SDATA_1的数据将覆盖寄存器空间中的目标地址。
注释:寄存器0只能通过SDATA_0通道编程,SDATA_1上的任何数据在编程寄存器0时都被忽略。建议在通过SDATA_0编程寄存器0时保持SDATA_1为“0”。寄存器0也与作为12位地址一部分传输的2位芯片选择无关。如果只有SDATA_0用于编程设备,那么建议使用寄存器位PDN_SDATA_1位关闭SDATA_1缓冲区。

2. TX7516寄存器的配置

(1) 全局寄存器映射:

0到63之间的寄存器地址对应全局寄存器。这些寄存器定义了设备的全局设置。

2.页寄存器映射:

通道1到16的模式存储器和延迟存储器是页寄存器映射的一部分。共有17个不同的页面,地址范围在64到1023之间;一个页面用于延迟存储器,其他16个页面用于模式存储器(每个通道一个)。

3.片上波束形成中的触发信号

浮动LDO通电后,TR_BF_SYNC引脚上的脉冲用于触发设备。有关BF_CLK的定时要求,请参见下图3.1和表3.1。图3.1适用于设备未配置为接收模式或全局掉电模式超过100毫秒的情况。在这种情况下WAKE_UP信号必须应用200μs持续时间,如

【datasheet-TX7516】高性能发射器TX7516_第1张图片
【datasheet-TX7516】高性能发射器TX7516_第2张图片

4、开发中的小tips

(1)注意再寄存器配置的时候,避免触发软复位。

【datasheet-TX7516】高性能发射器TX7516_第3张图片

(2)操作TX7516的条件

【datasheet-TX7516】高性能发射器TX7516_第4张图片
(1)设备内部设置。(2)对于高电压和高功率的情况下,设备可以在达到最大TR_BF_SYNC频率之前进入热关断。对于正常工作,在所有通道完成发射并进入接收模式后,施加下一个TR_BF_SYNC脉冲。(3)DIG_CLK信号来自BF_CLK时钟信号。DIG_CLK时钟的频率由BF_CLK频率除以2^(BF_CLK_DIV)给出,其中BF_CLK_DIV是一个可以从0到3编程的两位寄存器。为了启用时钟分频功能,将BF_CLK_DIV_EN位设置为“1”。(4)如果TR_BF_SYNC连续保持高,那么设备内部块在接收模式下不会关断。为了避免这种情况,TR_BF_SYNC信号的最大脉冲宽度限制在30DIG_CLK时钟周期

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