下文主要记录光刻胶的性能指标。高性能光刻胶的指标有很多：高灵敏度、高对比度、高分辨率、优良的抗刻蚀能力、长寿命周期，低溶解度、低成本和较高的玻璃化转变温度等。其中，主要衡量光刻胶性能的指标为灵敏度、分辨率和对比度。

光刻胶的性能指标

1光刻胶的灵敏度

灵敏度是指单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量（对紫外光刻胶而言）或最小电荷量（对电子束光刻胶而言）。数值越小表明灵敏度越高，曝光所需的剂量相应越小，曝光过程越快。通常负胶的灵敏度要高于正胶。

灵敏度太低会影响产出效率，所以通常情况下希望光刻胶有较高得灵敏度；然而灵敏度太高会牺牲分辨率。

▲电子束光刻胶PMMA曝光效果图：多层T-gate结构

分辨率是指排除光刻设备影响，能在光刻胶上再现的最小特征尺寸。光刻工艺中影响分辨率的因素有：能量源、曝光方式以及光刻胶本身（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）。通常正胶的分辨率要高于负胶。

此截图来自华慧高芯公众号

▲电子束光刻胶ZEP520曝光效果图：(a)150 nm孤立线宽；(b)100nm孤立线条(c)50nm孤立线宽

指光刻胶从曝光区到非曝光区过度的陡度。对比度越高的光刻胶，显影过程中其厚度变化的反差大、过渡区小、轮廓清晰、边壁陡直。通常正胶的对比度要高于负胶。

此截图来自华慧高芯公众号

其中，D0为开始光化学反应所需要的最低曝光剂量；D100为全部光刻胶被曝光所需要的最低曝光剂量。D0、D100的间距越小，光刻胶的对比度就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在0.9-2.0之间。对于亚微米图形，要求对比度大于1。

▲正性光刻胶理想对比度曲线

工程师在选择光刻胶时，一般会从以上的性能结果来进行评价，同时会兼顾现有的产品要求、设备能力及光刻胶成本等进行综合考虑。

不积珪步，无以至千里；不积细流，无以成江海。做好每一份工作，都需要坚持不懈的学习。