MOSFET米勒平台效应

MOSFET的等效模型：

导通过程波形图：

分为4个阶段：
t0-t1：驱动电流由0到1，给Cgs电容充电，栅极电压开始上升，直到栅极t1时刻，栅极电压等于MOS管开通的门限电压Vth
t1-t2:MOS管开始导通，漏极电流开始上升，此时MOS工作在可变电阻区域，直到漏极电流Id达到饱和，到达t2区域，此时MOS管完全导通，工作在恒流区，漏极电压开始下降
t2-t3：MOS管完全开通，漏极电压急速下降，所以Vgd电压变化巨快，也就是dv/dt很大，即Cgd两端电压变化很快,而要Cgd两端电压变化很快，需要提供很大电流，因此，原本给Cgs供电的驱动电流基本上被Cgd抽去，导致栅极电压不在升高，也就是造成了米勒平台效应
t3-t4：当漏极电压不再变化时，驱动电流又开始给栅极电容充电，导致栅极电压继续上升，直到达到栅极所提供的电压值。
参考链接：
一文弄懂MOS管的导通过程和损耗分析