BQ25898DYFFR 4A电池充电器、D2315-5R0E贴片电感、PMZ290UNE2和PB5A2BX均是N型场效应管（MOSFET）

1、BQ25898DYFFR 具有电源路径和 HVDCP 的 I2C 单节 4A 降压电池充电器

bq25898/98D 是一款适用于单节锂离子电池和锂聚合物电池的高度集成型 4A 开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件。该器件支持高输入电压快速充电，适用于各类智能手机、平板电脑和便携式设备。其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、

其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶段的电池使用寿命。具有充电和系统设置的 I2C 串行接口使得此器件成为一个真正的灵活解决方案。

电池化学成份：锂离子/聚合物
电池数：1
电流 - 充电：-
可编程特性：-
故障保护：过流，超温
充电电流 - 最大值：4A
电池组电压：-
电压 - 供电（最高）：14V
接口：I²C，USB
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：42-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：42-DSBGA（2.8x2.5）
基本产品编号：BQ25898

应用
• 智能手机
• 平板电脑
• 便携式网络设备

BQ25898DYFFR 4A电池充电器、D2315-5R0E贴片电感、PMZ290UNE2和PB5A2BX均是N型场效应管（MOSFET）—— 明佳达

2、D2315-5R0E 贴片电感器  DFN1006-2

3、PMZ290UNE2 场效应管 MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3

PMZ290UNEX N沟道MOSFET是一款增强模式场效应晶体管 (FET)，具有低阈值电压和快速开关功能。这些MOSFET有两种型号，分别为2kV HBM和大于2kV HBM静电放电保护这两种型号。PMZ290UNEX MOSFET采用1.0mm × 0.6mm x 0.48mm无引线小型DFN1006-3 (SOT883) SMD塑料封装，并采用沟槽式MOSFET技术。应用包括继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。

应用
• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 低侧负载开关
• 开关电路

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：320 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：46 pF @ 10 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：350mW（Ta），5.43W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：SOT-883
封装/外壳：SC-101，SOT-883
基本产品编号：PMZ290

4、PB5A2BX N沟道增强型场效应晶体管

电压：20V
电流：11A
电阻：9毫欧

特点
•无铅、无卤素且符合RoHS规范。
•低RDS（ON），可将传导损耗降至最低。
•欧姆区域良好的RDS（ON）比率。
•优化的栅极电荷，以最大限度地减少开关损耗。

典型应用
•保护电路应用。
•逻辑/负载开关电路应用。
•用于DC-DC转换器应用的计算机

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