40V TPHR8504PL N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻特性，有助于提高电源效率

TPHR8504PL是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是40 Volt N-沟道MOSFET，由N型沟道和P型衬底构成，而P-沟道MOSFET则由P型沟道和N型衬底构成。

TPHR8504PL N-沟道MOSFET的工作原理是通过控制栅极电压来控制沟道的导电性。当栅极电压高于阈值电压时，沟道打开，导电性增强，允许电流从源极流向漏极。反之，当栅极电压低于阈值电压时，沟道关闭，导电性降低，电流无法通过。

功能特性:

• 高速切换
• 小栅极电荷：QSW=23 nC（典型值）
• 小输出电荷：Qoss=85.4 nC（典型值）
• 低漏源导通电阻：RDS（on）=0.7 mΩ （典型值）（VGS=10 V）
• 低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=40 V）
• 增强模式：Vth=1.4至2.4 V（VDS=10 V， I D = 1.0 mA)

大家都知道，N-沟道MOSFET具有许多优点，包括低输入电阻、高开关速度、低驱动功率和较低的导通压降。所以，TPHR8504PL被广泛应用于电子设备中的功率开关、放大器、逻辑门和各种集成电路中。