AUTOSAR存储服务之FEE换页策略介绍

概述

如下图是AUTOSAR Memory Stack的架构图,对于Memory Stack的介绍请参考AUTOSAR MemoryStack详细介绍_钢琴上的汽车软件的博客-CSDN博客

AUTOSAR存储服务之FEE换页策略介绍_第1张图片

随着现在MCU携带的内置flash空间越来越大,从成本节省以及方便使用等方面考虑,在产品设计和开发过程中常用Flash EEPROM Emulation技术,故名思意就是使用flash来模拟EEPROM的存储特性,最重要的是达到如EEPROM一样的几十万乃至百万次的擦写次数。本文主要介绍Memory Stack中Flash EEPROM Emulation(FEE)的相关技术和换页策略,在介绍之前我们需要弄清楚一些基本概念。

Flash和EEPROM的对比

FEE是用flash模拟EEPROM,那么两者有什么区别,我们从以下几个角度来简单对比。实际使用中,需要根据两者的特点和应用的需求进行选择。

比较方式 Flash EEPROM
擦写次数 较少,可达十万次 较多,可达百万次
擦写方式 写之前需要擦除,以多个页组成的物理扇区进行擦除

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