明明电流不大，为什么你的MOS管还会发热？

        MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

        MOS管发热问题，是MOS管应用时常见的问题，今天就来简单的了解一下这个问题，以及该如何应对这样的情况。

        先了解一下MOS管工作发热的基本情况，在MOS管中有几个重要的参数，导通阻抗RDS(ON),栅极/驱动电压VGS，以及流经开关的电流漏源电流ID。其中导通阻抗RDS(ON)与栅极/驱动电压VGS以及流经开关的电流有关。

        在充分的栅极驱动的情况下， RDS(ON)是一个相对静态参数，MOS管在持续的导通情况下容易产生热量，导致发热。由此慢慢升高的结温使RDS(ON)也逐渐增加，此时功率管的损耗也跟着增加，导致MOS管的发热发烫。

        总结下来MOS管发热大致可以分为以下几个因素，第一电路设计问题，第二MOS管驱动频率太高，第三足够好的散热设计，第四MOS管的选型。

        MOS管的工作主要在于线性的工作状态，而不是在开关状态。MOS管导通时间过长会导致发热。

        MOS管驱动频率太高，频率与导通损耗就会成正比，因此在发热时，可以看看频率选择的是否过高。此外，过分的追求体积也会导致频率提高，MOS管上的损耗增大。

        如果没有做足够好的散热设计，通过漏极和源极的导通电流ID就会过大，不过，ID小于最大电流，也可能发热严重，因此需要足够好的辅助散热片来帮助MOS管很好的散热。

        MOS管的选型是关键，我么在前面提到RDS(ON)这个关键参数，它的变化时导致发热的主要原因，因此选择低导通电阻的MOS管是至关重要的。不过这里需要注意，内阻越小，cgs和cgd电容越大，具体应用时要选择内阻合适的MOS管。