EEPROM和FLASH（NOR Flash 和 NAND Flash）的区别
EEPROM和FLASH的区别:
EEPROM和FLASH都是存储器的一种类型，但它们在许多方面存在明显的差异写入方式：EEPROM允许按字节进行写入，而FLASH通常需要按块进行写入。在FLASH中，要写入一个数据，需要先擦除整个块，然后再将新数据写入该块。擦除方式：EEPROM可以按字节进行擦除，而FLASH一般需要按块进行擦除。在FLASH中，要擦除一个数据，通常需要先擦除整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入。擦写速度：EEPROM的擦写速度比FLASH慢得多，受到许多因素的影响，包括使用的存储器型号、接口类型、写入和擦除的数据量、芯片温度等。存储密度：EEPROM和FLASH的存储密度都较高，可以存储更多的数据。数据存储：EEPROM是电可擦除的，可以在线擦除和改写，非易失性，既可以像ROM一样存储程序，也可以像RAM一样随机读写。而FLASH通常用于存储程序，如程序存储器，数据在掉电后仍能保持。价格：FLASH应该比EEPROM更便宜。
ROM：Read-Only Memory，只读存储器。
以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息，信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
于是出现了EPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦除可编程只读存储器），这种存储器就可以多次擦除，但是这种可擦除的存储是通过紫外线进行擦除，擦除的时候也不是很方便。
随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。Flash结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的功能，还可以快速读取数据，Flash，又叫Flash Memory，即平时所说的“闪存”。
Flash通常分为：NOR Flash 和 NAND Flash，它们各自有各自的优缺点.
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。