目录
9.1概述
9.1.1性能参数
9.2一级运放
9.2.1基本结构
9.2.2设计步骤
9.2.3线性缩放
9.2.4共源共栅运放
9.2.5设计步骤
9.3两级运放
9.3.1设计步骤
9.4增益的提高
9.4.1基本思想
9.4.2电路的实现
9.4.3频率响应
9.5性能比较
9.6输出摆幅计算
9.7共模反馈
9.7.1共模反馈知识
9.7.2共模检测技术
9.7.3共模反馈技术
9.7.4两级运放中的共模反馈
9.8输入范围限制
9.9转换速率
9.10高转换速率的运算放大器
9.10.1一级运放
9.10.2二级运放
9.11电源抑制
9.12运放的噪声
模拟的主要认为在两个方向:
(1)自然界的输入:关注噪声
(2)处理后的数据推动到天线输出:关注非线性
一、增益
决定精度;故设计时根据精度决定需要的增益。
二、带宽
单位增益带宽= 决定速度;
主要是计算时间常数。
三、大信号特性
大信号带宽:大的阶跃时输出并不会指数变化,输出会先进行线性变化,再进行指数逼近。
四、输出摆幅
五、线性
六、噪声与失调
输入端等效噪声,输入端等效失调
七、电源抑制比
全差动可以解决
大信号特性关注点:
(1)输入共模范围
(2)输出摆幅
(3)输出直流点
(4)功耗
小信号特性关注点:
(1)低频增益:决定精度
(2)增益带宽积:决定速度(第二个极点在0dB以后)
(3)
一、5OTA
大信号特性
小信号特性
二、全差分
大信号特性
小信号特性
(1)功耗——>
(2)输出摆幅和输出工作点——>
(3) 和 ——>W / L
(4) 和 ——>偏置电压和电流
(5)验证增益
(6)设计迭代——>调制L(改变ro),且保证W/L不变(保持其他指标恒定)
注意点:在设计中和的确定需要以速率为依据,,且有,
这个公式讲速率、功耗和摆幅联系在了一起。根据要求求 Id 和 Vod.
W加倍造成的影响:
Id加倍、W/L加倍、Vod不变->电压摆幅不变、gm加倍、ro减半。
结论:宽度的线性缩放只会改变功耗(gm加倍,速度、GBW加倍。),增益和摆幅的数值不变。
一、套筒式
摆幅:
低压版:上端增大一个Vth的摆幅
要满足单极点近似,需要,即保证第二个极点在单位增益点的右侧。
二、全差分套筒式
有两个极点:一个小的极点是输出结点;另一个大的极点在串联的两个 nmos之间。
(1)根据CL和GBW计算gm。(公式:)
(2)确定 Id 和 Vod 。(根据 )
(3)根据Id和Vod计算W/L ,
(4)电流镜偏置Vb
增益调整:增大增益 ,增大调整ro(等比增大W和L) ,需要先观察是输出点上方电阻小了还是上方电阻小了,调节电阻小的一方,因为这样效果更显著。
三、cascode源随器的改进
不改进时输入输出摆幅很小;改进后增大。
四、折叠式共源共栅
输入摆幅增大了很大,特别是下方摆幅,甚至可以为负值。
输出范围扩大了一点(没有尾管了,范围下边扩大了)
增益比套筒式减小了;
主极点两者相同,次级点折叠式更小(结点处寄生电容更大)。
进一步增大增益
在单极中,即使有两个结点(极点),两个结点也一个是高阻结点,一个是低阻结点。两个极点距离远,易于单极点近似;在二级电路中,两个结点都是高阻的,两个极点距离近,不易单极点近似。
一、电流负反馈制造大的输出电阻
要想有大的输出摆幅,X点的电压需要等于Vod,但是这个电路还要保证M3在饱和区,故X点需提高电压,多消耗了一个Vth的电压余度。
改进:用pmos
左图中,M3的漏极电压最高位 V-Vod ,P点电压为 V-Vod-Vth ,漏极电压降低时,M2截至,即使不降低,M2也很容易截至,
故改进为右侧图,折叠式共源共栅,可以让输入与输出不相关,利于调节M2栅和源的电位。
电路:
增益提高技术后的电路:
增益提高,增益带宽积没变,增益提升是以带宽降低为代价的。
当辅助放大器的频率特性是全频(或极点很大),直接在主放大器频率特性的斜线顺延至增益更大的位置。如上图。
当辅助放大器极点小于GBW时,就会变得很复杂。
摆幅:两级有优势,增益提升没有优势;
速度:两级速度低,增益提升速度高;
功耗:增益提升技术功耗大(2倍)。
噪声:增益提高技术噪声大。
套筒式:
折叠式:
两级: 副极点低,频率特性图中增益下降快,GBW小,速度低。
增益提高技术:
(1)为什么要共模反馈?
两电流源冲突,使得输出端共模点很敏感,一点的波动就会导致输出端大的变化。
(2)三要素:检测、求差、反馈。
(3)简单分析反馈极性
法一、
为不减小输出电阻,电阻需要很大,会占用很大面积。
法二、
共模检测的范围与主级输出的范围不匹配。
法三、
M7、M8都在线性区。输出Vout1,2 大时可能会饱和;
同样的问题:共模检测的范围与主级输出的范围不匹配。
法四、
开关电容共模负反馈:需要有时钟信号。
总结:一般常用的为电阻加电阻和开关电容。
输入的范围上可达Vdd,下却受VGS的限制。换pmos输入的话,下可达gnd,上却受限制。
故做如下改进,扩大输入共模范围。
可以看出,跨导不恒定。
增大输出摆幅,可用class-AB
大信号速率:
输入给一个阶跃,当这个阶跃比较小时,随着输入阶跃的增大,输出斜率会随阶跃增大而增大,当阶跃大到某个值时,再大,输出斜率与不会变大了,输出会先线性,再指数逼近。
原因是:随着阶跃增大,Iss会分给左侧的变大,当Iss几乎全分给左侧时,输出斜率便不会再增大(线性充电)。这个临界的阶跃是 ,即Iss全部给左侧时的情况。当两侧的电压差小于 时,为指数充电。