FR1205-VB一种N沟道TO252封装MOS管

型号: FR1205-VB
丝印: VBE1638
品牌: VBsemi
参数: N沟道, 60V, 45A, RDS(ON) 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.8Vth (V)
封装: TO252

详细参数说明和应用简介:
1. 沟道类型:N沟道
   - 这表示这是一种N沟道MOSFET,通常用于电子设备中,特别是需要控制正电压电源的应用。

2. 额定电压 (VDS):60V
   - 这是沟道MOSFET能够承受的最大电压,表示它适用于需要处理高达60V的电路。

3. 额定电流 (ID):45A
   - 这是沟道MOSFET的额定电流,表示它可以处理的大电流负载。

4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):
   - RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在10V的情况下,它的电阻为24mΩ,而在4.5V的情况下为28mΩ。这表明在导通状态下,它的电阻非常低,有助于减小功耗和热量。

5. 栅源电压额定值 (Vgs):20V (±V)
   - 这表示栅源电压的额定范围为正负20V。栅源电压用来控制MOSFET的导通和截止状态。

6. 阈值电压 (Vth):1.8V
   - 这是沟道MOSFET的阈值电压,表示需要应用在栅极上的电压,以使器件开始导通。

FR1205-VB一种N沟道TO252封装MOS管_第1张图片

应用简介:
这种型号的N沟道MOSFET适用于多种高功率应用,包括但不限于以下领域和模块:

1. 电源开关:这种MOSFET可用于高功率电源开关模块,例如DC-DC转换器,以实现高效的电能转换。
2. 电机控制:它可用于高功率电机驱动和控制,因为它可以处理大电流负载。
3. 电源逆变器:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,N沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 高功率放大器:在高功率音频放大器和高频放大器中,它可以用于功率放大。

总之,这种型号的N沟道MOSFET适用于需要处理高功率和高电流负载的领域,以满足功率开关和电源管理的需求,特别是需要处理正电压电源的高功率应用。由于其低漏极-源极电阻和高额定电流,适用于高功率应用。

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