IPB120N04S4-02-VB场效应管一款N沟道TO263封装的晶体管

**IPB120N04S4-02-VB**

**丝印：** VBL1402  
**品牌：** VBsemi  
**参数：** TO263；N—Channel沟道, 40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1~3V  

**封装：** TO263  

**详细参数说明：**  
- **沟道类型：** N—Channel  
- **最大承受电压：** 40V  
- **最大电流：** 180A  
- **导通电阻：** 2mΩ（在VGS=10V时），2mΩ（在VGS=20V时）  
- **阈值电压：** 1~3V  

**应用简介：**  
该器件为 N—Channel MOSFET，适用于需要控制正向电流的高电流应用，如电源开关和电机驱动。

**作用：**  
- 控制正向电流，适用于需要 N—Channel 沟道的高电流模块。
- 在电源开关和电机驱动等领域中发挥关键作用。

**使用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 用于构建可靠的正向电流开关电路，确保电源系统正常运行。
2. **电机驱动模块：** 适用于需要高电流控制的电机驱动系统。

**使用注意事项：**
1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制：** 注意器件工作时的温度，避免过热。
3. **阈值电压选择：** 根据应用需求选择适当的阈值电压。

如有需要进一步了解或有其他问题，请告诉我。