模电:PN结的形成
半导体：介于导体跟绝缘体之间的材料
本征半导体：纯净半导体
硅锗 四价元素
本征半导体的晶体结构
价电子不导电，导电靠自由电子，
载流子
本征激发
因为温度变化所引起的热运动，让共价键里面的价电子挣脱变成自由电子，挣脱留下的位置叫空穴，这个过程就叫本征激发
空穴带正电 ，空穴带正电，
本征半导体有两种载流子：一个是空穴，一个是自由电子
本征激发越多导电能力越好
本征激发的对立面就复合运动
自由电子跟空穴会在共价键里面相撞，然后这俩都没了，又重新变成共价键的价电子，这个过程就叫复合
本征激发的复合的速度，和温度决定了载流子的的浓度
本征半导体的导电能力跟载流子的浓度有关
两个相关性：
本征激发的速度肯定跟温度相关，温度越高本征激发速度越快，温度越高热运动越剧烈
复合的速度，和它的浓度有相关性
结论：载流子的浓度跟温度相关，温度越高，载流子浓度越高
杂质半导体
：半导体材料有一个可掺杂性
概念：在本征半导体里面参入少量的杂志元素
N型半导体
参入磷，5价元素，参入之后，四阶的的位置会被一个硼取代，因为参的少，所以知识有些位置会被取代，不改变特性
磷给半导体供应了，自由电子这个载流子，因此称这种原子叫施主原子
参入之后，五个电子用四个电子构成共价键，还有一个就变得非常容易逃脱，原子的束缚，几乎就是参进去一个磷就多了一个自由电子，，虽然参的少，但是依旧比原来的浓度高，甚至高上百万倍，导电性能瞬间上升，就会导致导致大量的自由电子存在，因此自由电子就是多数载流子，简称多子，空穴是少子，所以它主要的导电离子就是自由电子，自由电子带负电，所以是N型半导体，n=negative，
结论，N型半导体带负电
温度对N型半导体里面的多子影响不大，甚至忽略没有，因为参入之和所产生的自由电子是之前没参入的几百万倍，温度所产生的热运动，所产生出来的自由电子没多少，所以不影响，但是温度对少子的影响非常大，而且非常敏感，少子跟多子的增加的数量实际上是一样的，但是对于基数的不同，它的浓度变化就非常大，对少子的浓度非常大，，所以如果以后半导体器件中的某一个特性跟少子相关，那么它受温度的影响就很大大，如果仅仅与多子相关，按摩温度对它的影响就很小
原子与离子的区别：离子带电，原子不带电。
原子与离子的联系：原子得电子变成阴离子，原子得电子变成阴离子，阴离子失电子变成原子，阳离子得电子变成原子
原子和离子的区别是：原子呈电中性，而离子带电荷；原子最外层电子可能不是相对稳定结构，而离子最外层电子一定是相对稳定结构；原子的化学性质可能活泼，但离子的化学性质相对稳定。
P型半导体
参入3价元素硼，由于是三阶元素，参一个硼就多一个空穴，空穴就变成了多数载流子，自由电子就变成少数载流子，
PN结
当把这两种杂质半导体放在一起的时候就产生了一个奇迹，PN结
大圆圈带正号是磷离子，配了一个自由电子，离子不会动，负号是硼离子也不会动，配了一个空穴，空穴和自由电子会动
扩散运动;粒子都有一种能能力，从浓度高的地方，向浓度低的地方运动，这种运动叫扩散运动
所以P区的空穴会向N区扩散，N区的自由电子会向P区扩散，因为N区空穴为少子，浓度低，P区自由电子为少子，浓度低，n区的自由电子当它扩散到P区的时候，就犹如羊入狼群一般，它过去之和全是空穴在等着它，它过来一个就被消灭一个，同样的道理，P区进入N区的地盘，也被迅速消灭，然后就在交界处进行惨烈的交战，这种交战绝对是一对一的抵消，如果没东西阻止它，我们得到的结果就是，自己消耗光了，没了，但是大自然是平衡的，它自然就产生一种利益，要阻止它这么干，在打完之后那块区域实际上是无人区，然后看下图的空间电荷区，虽然图上没画离子里面还是有离子，但是非常非常少，载流子在这里全部消耗殆尽了，一旦消耗殆尽之后，这个空间电荷区就变得非常可爱，，就形成了空间电场，电场方向是从右指向左的，这个空间电场方向是在阻止这些无谓的牺牲在发生，它起了一个阻挡作用，一个阻挡层的作用，因此这个空间电荷区，又叫，耗尽层，阻挡层，又叫PN结
在这种条件下，多子的扩散运动和少子的漂移运动就会达到动态平衡
对称结：左边右边宽度一样，电荷区的宽度一样，因为两边参杂的浓度一样。
如果参杂浓度不一样，那么会一边高一变低，空间电荷区宽窄就不一样，因为电荷是一样的，浓度高的地方就会窄，浓度低的那边就会宽，这种结叫不对称结
势垒
扩散运动是一直再发生的，只不过因为有势垒阻挡了扩散运动的发生
右边是自由电子，左边是空穴，扩散运动可以进行，多数是冲到这里就势垒挡回去了，个别能冲过去，所以扩散运动非常非常非常小，同样的道理左边也是一样，水滴石穿，早晚会耗尽，但是不要忘记我们还有少子，势垒对多子是一个阻挡的山，对于少子就是一个坑，左边自由的电子，会移动，一旦进入电荷区，就会被拉过去，直接就飘过去了，右边空穴过来，也飘过去了，少子在空间电荷电场力的作用下，飘过去的运动，称之为漂移运动
PN结的单向导电性
在PN结的条件下，半导体材料从导电变成了不导电，因为有PN结的阻挡层的出现，它就不到电了，但是PN结有一个非常重要的的特性，单向导电性
PN结外加正向电压，P区结电源正极，N区接电源负极，注意还加了一个电阻，
外电场是从左往右，外电场削弱内电场的作用，就是在削弱势垒，这样扩散运动就会大大提高，所以就导通了
如果可以调节V的话，从零开始往上升，刚开始升的时候，没有电流，一点电流都没有，升了有一快区域都没有，就跟死了一样，所以那里有一个区域，我们在特性上称之为死区，但是升升升，突然有一下就出现电流了，但电流出现之后，，在往上升电压的时候，会发现这个电流跟这个电压几乎成一个指数关系，往上升，电流会欻就上去，实际上就是外电场削弱内电场的作用，使得扩散运动重新恢复，然后电流迅速增大，，所以这里对这个电流加以限制，如果不限制就会烧掉PN接，所以加了给电阻，电阻的作用就是限定了这里最大通过的电流，所以他在做这样一个保护的作用以，以后再用二极管这样正向导通的时候，一定要考虑限流电阻的存在，在使用他的时候
PN接加反向电压，
加了反向电压之后，外电场和内电场一致了，PN接会越变越厚，阻挡作用越来越强，几乎不导电，所以反向的时候加法相电压从N到P的时候，截至，但是还是会有电流的，会产生漂移运动，但是又因为漂移运动是少子构成的，所以这个电流很小，可以忽略不计，这个电流对温度很敏感，这个电流叫反向饱和电流，
PN结的伏安特性曲线
PN结的电流方程：
其中IS是反向饱和电流，图上没画反向电流
UT是一个温度当量，他跟温度有关，用温度把温度转化成电压的这样一个东西，在室温下UT=26毫伏
U就是PN结上的电压
一般来说PN结的导通电压，锗管的话大约是0.2-0.3，硅管0.6-0.7，
1几乎可以忽略
反向饱和电流IS
电场方向由场源决定
电场方向与正电荷受力方向相同。 电场的特性是对电荷有作用力，即电场力，正电荷受力方向与电场方向相同，负电荷受力方向与电场方向相反。
物理上规定，电场线从正电荷或无穷远出发，终止于无穷远或负电荷。
电场线如果是直线，某点的电场方向就是电场线的方向；