MOS管的这个参数你必须要知道

大家好，我是砖一。

对于MOS管，大家或多或少都有了解，但是MOS管的导通阻抗，你有真正了解过吗？下面跟我一起学习一下吧！

NMOS管导通条件是Vgs大于Vgs(th)导通，

PMOS管导通条件是Vgs小于Vgs(th)导通。

即使MOS管完全导通，这时候是有导通阻抗存在的，英文名叫Rds(on)，它是指的是Vgs=10V时，DS之间的导通电阻。

但是Rds(on)并不是一个固定的值，它跟温度有关系，温度越高，Rds(on)越大。

下图所示，它是一款Mos管的Rds(on)随着结温的曲线图。

 

 我们可以很清楚的看到，不同的结温对应不同的Rds(on)，比如100℃对应1.2Ω左右的阻抗。

使用MOS管去设计开关电源或者驱动电路的时候，一般我们要考虑到MOS管的导通阻抗，因为当电流流过MOS管的D极和S极时候，它会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量就是导通损耗。

选择导通阻抗小的MOS管可以减少一定的导通损耗，一般小功率MOS管的导通阻抗一般在几毫欧到几十毫欧左右。

如果你想要耐压越高，那么它对应的内部结构就会做的越厚，相应的导通阻抗Rds(on)就越大，所以选择合适的MOS管需要权衡利弊。

除了通过MOS管的Datasheet可以看出导通阻抗，也可以测量出来，当MOS管在导通的情况下，测出Id和Vds，利用欧姆定律，Vds除以Id就是导通阻抗啦。

关于MOS管的导通阻抗就讲到这里，前面几期讲了很多关于MOS管的专题，大家可以翻看一下哈~