CSAPP第六章存储层次结构：存储技术(SRAM和DRAM)

随机存取内存（RAM）：静态(SRAM)和动态（DRAM）。

静态(SRAM)

（1）静态RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快更贵。

（2）SRAM用于寄存器和高速缓存；DRAM用于主存。系统最多只有几兆字节的SRAM，但却有几百或几千兆字节的DRAM。

静态RAM双稳态的特性：

     静态RAM的电路能够无限期地保持在两种不同的电压配置中。任何其他状态都将不稳定—从那个状态开始，电路将迅速移动到其中一个稳定状态。由于其双稳态的特性，只要保持通电，SRAM记忆单元将无限期地保持其值。与DRAM不同，SRAM不需要刷新。SRAM的访问速度比DRAM快。

动态RAM（DRAM）

  每个单元由一个电容器和一个单独的访问晶体管组成。DRAM记忆单元对任何干扰都非常敏感，DRAM单元在大约10到100毫秒的时间内失去电荷。内存系统必须定期刷新每一个内存位，通过读取然后重写来完成。

在DRAM芯片中，存储单元（位）被划分为d个超级单元，每个超级单元由w个DRAM单元组成。一个d×w的DRAM总共存储dw位信息。这些超级单元被组织成一个矩形数组。

信息通过称为引脚的外部连接器进出芯片，每个引脚携带1位信号每个DRAM芯片都连接到某些电路，称为内存控制器。该控制器可以一次从每个DRAM芯片传输w位。为了读取超级单元（i,j）的内容，内存控制器先发送行地址i到DRAM，随后发送列地址j。

DRAM通过将超级单元（i,j）的内容发送回控制器来响应。

行地址i称为RAS（行访问选通）请求，列地址j称为CAS（列访问选通）请求。

DRAM组织为二维数组，这样可以减少芯片上的地址引脚数量。

二维数组组织的缺点是地址必须在两个不同的步骤中发送，这增加了访问时间。

DRAM被封装在内存模块中，这些模块插主板上的扩展槽中。