TC551001系列

东芝公司（Toshiba）关于其TC551001系列静态随机存取存储器（SRAM）的技术手册。这款存储器具有131,072个存储单元，每个单元可以存储8位数据，总计1,048,576位。下面是对文档内容的翻译和详细分析，包括图表分析。

翻译内容：

描述：
TC551001CPI/CFI/CFTI/CTRI/CSTI/CSRI是一款1,048,576位的静态随机存取存储器（SRAM），组织为131,072个词×8位。使用东芝的CMOS硅门工艺技术制造，该设备从单一的5V ± 10%电源供电操作。先进的电路技术提供了高速度和低功耗，操作电流为5 mA/MHz（典型值），最小周期时间为70纳秒。当芯片使能（CE）被断言为高电平或（CE2）被断言为低电平时，它会自动进入低功耗模式，待机电流为1 μA（典型值）。有三个控制输入。CE1和CE2用于选择设备和数据保持控制，输出使能（OE）提供快速存储器访问。该设备非常适合于需要高速、低功耗和电池备份的各种微处理器系统应用。并且，由于保证操作范围为-40°C至85°C，TC551001CPI/CFI/CFTI/CTRI/CSTI/CSRI可以在极端温度条件下的环境中使用。TC551001CPI/CFI/CFTI/CTRI/CSTI/CSRI提供标准塑料32引脚双列直插封装（DIP）、塑料32引脚小外形封装（SOP）和正常引脚和反向引脚塑料32引脚薄小外形封装（TSOP）。

特点：

• 低功耗耗散
• 访问时间（最大）：操作时27.5 mW/MHz（典型值）
• 单电源电压5V ± 10%
• 访问时间：70ns至85ns
• 数据保持电压为2至5.5V
• 直接TTL兼容性，适用于所有输入和输出
• 宽工作温度范围：-40°C至85°C
• 封装类型：DIP、SOP、TSOP

引脚分配（顶视图）：

• 32引脚DIP & SOP
• 32引脚TSOP

绝对最大额定值：

• 电源电压：-0.3至7.0V
• 输入电压：-0.3至7.0V
• 输入/输出电压：-0.5至VDD + 0.5V
• 功率耗散：1.0/0.6W（SOP）

推荐操作条件：

• 电源电压：4.5至5.5V
• 输入高电平电压：2.4V
• 输入低电平电压：-0.3V至0.6V
• 数据保持电源电压：2.0V至5.5V

直流特性（Ta = -40°C至85°C, VDD = 5V ± 10%）：

• 输入漏电流：±1.0μA
• 输出高电平电流：-1.0mA
• 输出低电平电流：4.0mA
• 输出漏电流：±1.0μA

交流特性和操作条件（Ta = -40°C至85°C, VDD = 5V ± 10%）：

• 读周期时间（tRC）：70ns至85ns
• 地址访问时间（tACC）：-70ns至-85ns
• 芯片使能（CE1）访问时间（tco1）：-70ns至-85ns
• 芯片使能（CE2）访问时间（tco2）：-70ns至85ns
• 输出使能访问时间（toE）：35ns至45ns

图表分析：

1. 方块图（BLOCK DIAGRAM）：

   • 展示了存储器的内部结构，包括内存单元阵列、列地址解码器、列地址寄存器、列地址缓冲器、感应放大器等。
   • 显示了存储器的组织方式：1024 × 128 × 8，即1,048,576位。

2. 引脚分配图（PIN ASSIGNMENT）：

   • 详细列出了32引脚DIP & SOP和32引脚TSOP的引脚功能，包括地址输入、读写控制、芯片使能、输出使能等。

3. 操作模式（OPERATION MODE）：

   • 描述了在不同控制信号组合下，存储器的运行模式，包括读取、写入、输出禁用、高阻态和待机模式。

4. 绝对最大额定值表（ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS）：

   • 提供了设备在安全运行时不应超过的电气参数极限值。

5. 推荐操作条件表（RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS）：

   • 列出了设备在正常工作条件下的电气参数范围。

6. 直流特性表（DC CHARACTERISTICS）：

   • 提供了设备在特定测试条件下的直流电气特性，如输入漏电流、输出高/低电平电流等。

7. 交流特性和操作条件表（AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS）：

   • 列出了设备在交流操作条件下的特性，如读/写周期时间、地址访问时间等。

8. 封装尺寸图（PACKAGE DIMENSIONS）：

   • 展示了不同封装类型的尺寸和重量。

结论：

这份技术手册提供了TC551001系列SRAM的详细规格和操作条件，包括其电气特性、封装信息和内部结构。