a. UFS write booster buffer（技术 1）

1.概述

TLC NAND的写入性能明显低于SLC NAND，因为TLC bits需要更多的编程步骤，并且具有更高的纠错概率。为了提高写入性能，部分TLC NAND（正常存储器）被配置为SLC NAND，并暂时或永久地用作写入缓冲区。使用SLC NAND作为WriteBooster Buffer，可以以更低的延迟处理写请求，并提高整体写性能。分配给用户区域的TLC NAND的某些部分被分配为WriteBooster Buffer。可以通过显式主机命令或在休眠（HIBERN8）状态时隐式将启动缓冲区中写入的数据刷新到TLC NAND存储中。除TLC和SLC NAND以外的技术可用作正常存储和WriteBooster Buffer。

dExtendedUFSFeaturesSupport bit[8]表示设备是否支持WriteBooster feature。有两种操作模式: “LU